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HMC6147ALC5A/HMC6147ALC5ATR小型MMIC I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:33:00 HMC6147ALC5A是款緊湊轎車型GaAs MMIC I/Q下變頻器，用于無引腳RoHS兼容型SMT封口。 該電子元件展示13 dB小4g信號準換收獲，兼具25 dBc邊帶壓制。 HMC6147ALC5A用于低嗓聲變大器來能夠I/Q混頻器，LO由X2倍頻器能夠。

HMC6789BLC5A/HMC6789BLC5ATR陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝 ADI現貨

2018-07-03 10:27:08 HMC6789BLC5A一款緊奏型轎車型GaAs MMIC I/Q下變頻式器，主要利用遵循RoHS規定的12引腳、陶瓷制品無鉛基帶芯片各種載體(LCC)芯片封裝。該元器件出示14 dB的小網絡信號轉變成收獲和25 dBc的鏡像系統緩和穩定性。HMC6789BLC5A主要利用低燥音變小器驅使安裝I/Q混頻器，另外LO由x2乘法器驅使安裝

HMC1065LP4E/HMC1065LP4ETR鏡像抑制低噪聲變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:19:31 HMC1065LP4E也是款緊身型GaAs MMIC系統鏡像系統可以能夠抑制低躁聲直流變頻空調器，按照滿足RoHS基準的無鉛SMT封裝形式。 該電子器件帶來13 dB的小數據信號轉為增益控制，17 dBc的系統鏡像系統可以能夠抑制和-2 dBm插入IP3。 HMC1065LP4E靈活運用RF LNA和由有源X2倍頻器帶動的I/Q混頻器本職工作。

HMC1113LP5E/HMC1113LP5ETR表貼封裝緊湊型下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:16:58 HMC1113LP5E一款家用suvsuv型GaAs MMIC I/Q下變頻柜器，應用無鉛5 x 5 mm低剛度壓鑄塑表貼封裝。 該電子器件出示12 dB的小移動信號轉移增加收益、1.8 dB的環境噪聲指數公式和25 dBc的鏡像文件文件可能夠抑制功效。 HMC1113LP5E應用LNA，后接由LO油壓緩沖器器變小器驅動軟件的鏡像文件文件可能夠抑制混頻器。

HMC951BLP4E/HMC951BLP4ETR小型 I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-02 15:16:32 HMC951B也是款密集型GaAs MMIC I/Q下變頻柜器，選用適用RoHS基準的無引腳SMT封裝。 該配件在另一頻段區間內出具13 dB的小數字信號準換增益值、2 dB的噪音指數和24 dB的鏡像系統系統可以減弱機械性能。 HMC951B選用LNA，后接由LO儲存器放小器能夠的鏡像系統系統可以減弱混頻器。

HMC8108LC5/HMC8108LC5TR緊湊型X頻段單芯片低噪聲轉換器 ADI現貨

2018-07-02 15:06:38 HMC8108有的是款寬敞型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單基帶單片機芯片微波加熱集合三極管(MMIC)同相正交(I/Q)低燥音變為器，選取不符合RoHS要求的瓷質無鉛基帶單片機芯片形式裝封。HMC8108將范圍內為9 GHz至10 GHz的頻射(RF)投入無線預警變為為讀取商品詳情頁60 MHz關鍵單端中頻(IF)無線預警。

HMC1056LP4BE/HMC1056LP4BETR無鉛SMT封裝混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:53:27 HMC1056LP4BE就是款緊密型I/Q MMIC混頻器，運用“無鉛”SMT封裝，也可以作鏡象調節混頻器或單向帶進變頻式器。 該混頻器運用5個條件Hittite雙平穩混頻器單元式和個九十度混和元器，均運用GaAs Schottky場效應管方法打造。

HMC1063LP3E/HMC1063LP3ETR緊湊型I/Q MMIC混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:41:15 HMC1063LP3E一款寬敞型I/Q MMIC混頻器，分為“無鉛”SMT封裝類型，可以選擇作系統鏡像治理和改善混頻器或單向攜帶交流伺服電機。 該混頻器分為兩只標準單位Hittite雙失衡混頻器單無和一種九十度搭配電子元器件，均分為GaAs Schottky二級管生產技術生產。

Qorvo推出QPM2637/QPM1002用于雷達應用的超緊湊X波段FEM Qorvo現貨代理商

2018-07-02 14:30:32 Qorvo新的FEMs - QPM2637和QPM1002 - 建設在Qorvo的氮化鎵科技知識基礎上面，該科技可實行更快的高效率，可靠的性，工作電壓和可長期生存性，并可節約使用寬度，凈重和制造費。不同FEM將根本的T / R包塊特點整合到一款緊湊型suv的封裝形式中：T / R旋鈕，工作電壓增加器和低噪音污染增加器（LNA）。

HMC520ALC4/HMC520ALC4TR單芯片同相正交(I/Q)混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:55:30 HMC520A一款砷化鎵(GaAs)單電子電子器件紅外光集成型電路板(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器，進行貼合RoHS細則的24引腳、衛浴陶瓷無鉛電子電子器件的載體(LCC)裝封。該電子器件適用作映射抑止混頻器或一側帶電池變頻式器。

HMC8191LC4/HMC8191LC4TR無源混頻器芯片 ADI現貨代理商

2018-07-02 11:48:52 HMC8191是一個款無源聯通寬帶I/Q單基帶芯片微波加熱集合三極管(MMIC)混頻器，需用作收發器映射仰制混頻器或導彈發射器單側帶入變頻器。HMC8191具備有6 GHz至26.5 GHz的頻射(RF)和本振(LO)空間已經DC至5 GHz的中頻(IF)速率，異常適當需寬幀率空間

HMC524ALC3B/HMC524ALC3BTR緊湊型GaAs MMIC I/Q混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:41:18 HMC524ALC3B是是一個款省油的suv型GaAs MMIC I/Q混頻器，通過完全符合RoHS規定的無引腳SMT瓷磚封裝類型。 該電子元元器件封裝常用作鏡像軟件遏制混頻器或一側帶電池直流變頻空調器。 該混頻器通過兩根規定雙穩定性混頻器第一單元和是一個直角混電子元元器件封裝，均通過GaAs MESFET施工工藝造成。

HMC498LC4/HMC498LC4TR高動態范圍功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 13:47:59 HMC498LC4是一種款高動態性依據GaAs PHEMT MMIC一般電機馬力擴大器，用無引腳“無鉛”SMT封裝。 該擴大器兼備17至24 GHz的辦公依據，提供數據22 dB增益控制、+26 dBm供大于求電機馬力和23% PAE（+5V電電阻值）。

HMC383LC4/HMC383LC4TR通用MMIC驅動放大器 ADI現貨代理商

2018-06-29 13:42:06 HMC383LC4是一個款實用GaAs PHEMT MMIC驅程縮放器，應用適合RoHS標準規定的無引腳SMT裝封。 該縮放器應用+5V單主機電源，收獲控制為15 dB，飽和狀態效率為+18 dBm。 在整工作上頻帶寬度內極具共同的收獲控制和輸出電壓效率

HMC633LC4/HMC633LC4TR驅動放大器頻率5.5至17 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:41:51 HMC633LC4一款GaAs PHEMT MMIC驅動安裝調小器，用無鉛4x4 mm表貼淘瓷二極管封裝，上班率范圍圖為5.5至17 GHz。 該調小器給出可以達到30 dB的增益值、+30 dBm所在IP3及+23 dBm的所在額定功率

HMC634LC4/HMC634LC4TR驅動放大器陶瓷表貼封裝 ADI現貨

2018-06-29 11:34:17 HMC634LC4都是款GaAs PHEMT MMIC動力拖動器，主要包括無鉛4x4 mm陶瓷廠家表貼封裝，任務概率範圍為5至20 GHz。 該拖動器可以提供高達hg21 dB的收獲、+29 dBm內容所在IP3及+22 dBm的內容所在工率（1 dB收獲壓解時），顯卡功耗為180 mA（+5V電源線）。

HMC498/HMC498-SX功率放大器頻率范圍為17至24 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:21:07 HMC498就是一款高技術性條件GaAs PHEMT MMIC上班線電壓增加器，上班幀率條件為17至24 GHz。 HMC498保證24 dB增益值，呈現飽和狀態上班線電壓為+27 dBm，線電壓線電壓為+5V (25% PAE)。 是由于盡寸較小，HMC498增加器可更快融合到多電子器件摸塊(MCM)中。

HMC-APH596/HMC-APH596-SX兩級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 11:18:34 HMC-APH596有的是款兩極GaAs HEMT MMIC中低檔公率調大器，本職工作頻繁 的范圍為16至33 GHz。 HMC-APH596帶來了17 dB收獲，所采用+5V電源模塊直流電壓時更具+24 dBm效果公率（1 dB文件壓縮）。

RFGA2012低功耗線性放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 17:16:12 Qorvo的RFGA2012專程設計構思采用以較大的電壓馬力控制高OIP3。超線性網絡性能方面已在150MHz至3GHz的基準頻段中得以說明。RFGA2012都具有VBIAS引腳，不可以大家重視單一特殊要求SEO優化靜態式的電壓。VBIAS引腳也能夠用作掉電引腳。

RFGA0024高性能InGaP HBT MMIC放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 17:03:26 Qorvo的RFGA0024有的是款高耐腐蝕性InGaP HBT MMIC拖動器。RFGA0024的對外部有源偏置電路設計支持拖動器一直從5V電源適配器作業，并提供了可靠的電流量隨體溫影響并罰理Beta影響。此款達林頓拖動器的對外部切換內阻為50歐姆，很時候必須要小外形尺寸和數最多對外部零件的app。

RFGA0014低成本寬帶增益MMIC放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 16:46:56 Qorvo的RFGA0014不是款高能InGaP HBT MMIC放小器。RFGA0014的實物組織有源偏置電線同意放小器進行從5V電原運作，并供給固定的功率隨攝氏度影響沒收違法所得理Beta影響。這牌達林頓放小器的實物組織輸入電阻值為50歐姆，非常的時候要求小長寬比和更少冗余器件的app。

RF5633驅動器級線性功率放大器IC 5 V線性功率放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:39:52 Qorvo的RF5633是專為最終能夠或安裝軟啟動級適用裝修制定的平滑耗油率放縮器IC。該元器件封裝選用中帶背部接地線的無引線IC芯片媒體。RF5633裝修制定應用于在寬泛的濕度和耗油率效果范圍圖內長期保持平滑。冗余相匹配為許多頻段的效果耗油率出具能調性。

RF5623中等線性功率放大器IC Qorvo現貨

2018-06-28 16:29:31 Qorvo的RF5623是專為中檔電機電功率軟件定制的直線電機電功率縮放器IC。該配件用于現代化的InGaP異質結雙極單晶體管（HBT）新工藝加工制造，定制作為802.16e放射器的既定頻射縮放器。

RF3827高線性度的RF放大器IC 線性通用放大器Qorvo現貨

2018-06-28 16:21:13 Qorvo的RF3827是一種款公用，低投資成本，高線性網絡網絡度的RF變小器IC。該電子元器件按照砷化鎵生產工藝創造，按照3mm x 3mm，16引腳QFN裝封。它是時候充當線性網絡網絡/低躁音變小器，各舉OIP3值為38dBm，躁音比率需小于1.5dB。

RF3315高效率放大器 200 - 2200 MHz寬帶高線性度放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 16:06:31 Qorvo的RF3315是一種款提高熱效率率砷化鎵異質結雙極尖晶石管（HBT）調小器，用到低直接費用單單從表面貼裝封裝形式。該調小器尤其適于于需用200MHz至3GHz頻繁范圍之內內的高非線性度和低嘈音標準值的廣泛應用。

RF3223表面貼裝封裝500 - 2000 MHz低噪聲，高線性驅動放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:03:29 Qorvo的RF3223是一種款進行低利潤漆層貼裝打包二極管封裝的優質GaAs異質結雙極尖晶石管（HBT）拖動器。該拖動器至關適中用于想要500MHz至3GHz率區域內的高非線性度和低噪音因子的軟件。RF3223進行單5V開關電源供電公司，進行社會經濟的3mm x 3mm QFN打包二極管封裝。

RF3220高效率砷化鎵異質結雙極晶體管（HBT）驅動放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 15:38:32 Qorvo的RF3220就是款更高效應砷化鎵異質結雙極氯化鈉晶體管（HBT）調小器，應用了低價格漆層貼裝封裝類型類型。該調小器相對不適用作必須要 500MHz至3GHz規律區域內的高非線性度和低噪音污染彈性系數的用途。RF3220應用了單5V主機電源電力，應用了經濟能力的3mm x 3mm QFN封裝類型類型。

RF2162高功率高效率線性放大器IC Qorvo 3 V線性放大器現貨代理商

2018-06-28 15:23:18 Qorvo的RF2162是根據3V筆型平臺的高電功率有有效率曲線縮放器IC。該功率器件用于先進的的砷化鎵異質結雙極納米線管（HBT）加工制作工藝 加工制造，結構設計重復使用雙機制3V CDMA / AMPS筆型羅馬數字蜂窩機械擴頻平臺和其他運用中的決定性RF縮放器。 800MHz至960MHz頻段。

QPM1000集成式限幅器/ LNA高性能低噪聲放大器 Qorvo現貨出售

2018-06-28 15:20:09 Qorvo QPM1000就是一款集成式型式限幅器/ LNA，可在2-20GHz速度區域內給出穩建，高安全功效。QPM1000在增加收益把握下給出17 dB的小4g信號增加收益，在大部分速度區域內更具1.7 - 4 dB的燥音指數，> 18 dBm P1dB。凡此種種，集成式型限幅器給出高達模型4 W的入射熱效率的穩建性程度，而不用降低安全功效。

美國AMCOM 微波設計制造公司 AMCOM代理商

2018-06-28 14:57:18 AMCOM創立于1994年111月，由這群在紅外光電線構思構思和紅外光元器件封裝生產加工新技術地方工作經驗雄厚的紅外光構思構思師分為。它處在USA馬里蘭州市蓋瑟斯堡，距華盛頓西南約20英里。該工司作當先的紅外光構思構思企業基本權利盛譽，該企業還有工作電壓FET，MMIC工作電壓變成器和帶RF和DC連入器的高工作電壓變成器傳感器，某些傳感器已提供性能好于紅外光平臺。