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HMC8108都是款緊身型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單單片機處理芯片微波通信一體化電源線路(MMIC)同相正交(I/Q)低嗓聲變為器，主要包括非常符合RoHS要求的瓷磚無鉛單片機處理芯片承載打包封裝。HMC8108將范疇為9 GHz至10 GHz的頻射(RF)讀取移動手機電磁波變為為內容輸出新風系統的60 MHz明顯單端中頻(IF)移動手機電磁波。該電子元件出具13 dB的小移動手機電磁波變為收獲、2 dB的嗓聲標準值和20 dBc的鏡像文件調控的性能。

HMC8108采用低噪聲放大器，后接由有源LO緩沖放大器驅動的鏡像抑制混頻器。該鏡像抑制混頻器使得低噪聲放大器之后無需使用濾波器，并可消除鏡像頻率下的熱噪聲。它具有I/Q混頻器輸出，所需外部90°混合型器件用于選擇所需邊帶。立維創展 ADI外盤HMC8108為(wei)混合型鏡像抑(yi)制(zhi)混頻(pin)器(qi)、下變頻(pin)器(qi)組件(jian)的小型替代器(qi)件(jian)，可(ke)以(yi)使用表貼制(zhi)造技術。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC8108LC5 HMC8108LC5TR	9 GHz至10 GHz，X頻段、GaAs、MMIC、低噪聲轉換器	現貨	129

HMC8108應用

• 點到點及點到多點無線電
• 軍用雷達

• 衛星通信

HMC8108優勢和特點

• 轉換增益：13 dB（典型值）
• 鏡像抑制：20 dBc（典型值）
• 噪聲系數：2 dB（典型值）
• 針對1 dB壓縮的輸入功率：-4 dBm（典型值）
• 輸入三階交調截點：6 dBm（典型值）
• 輸出飽和功率：10 dBm（典型值）
• IF端口LO泄漏：-20 dBm（典型值）
• RF端口LO泄漏：-37 dBm（典型值）
• 32引腳、5 mm × 5 mm、陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝

HMC8108結構圖