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選擇具備著自己柵極偏置操縱的并行傳輸結晶管的GaN HEMT拖動器的曲線不斷增強

發布消息周期：2018-05-04 13:53:07     瀏覽記錄：9182

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：運用兼備獨特柵極偏置控住的電容串聯晶胞管的GaN HEMT增加器的直線資料。 GaN HEMT更具較高的工作輸出精度電率體積密度和較寬的網絡帶寬的效率。是，GaN HEMT的直線典型性地比GaAs器材的直線更差。文章要求者好幾個種簡約的手段步驟來增長GaN HEMT的直線度。所要求者的手段步驟是將器材截成與獨立的有效控制的柵極偏置端電壓串并聯的許多子模塊，隨后將電率合并且還為子模塊工作輸出精度。原來放縮器..
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