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HMC524ALC3B是(shi)一款緊湊型GaAs MMIC I/Q混頻(pin)(pin)器(qi)(qi)，采用(yong)(yong)符(fu)合(he)RoHS標準的無引腳(jiao)SMT陶瓷封裝。 該器(qi)(qi)件(jian)(jian)可用(yong)(yong)作鏡(jing)像(xiang)抑(yi)制(zhi)(zhi)混頻(pin)(pin)器(qi)(qi)或單邊(bian)帶上(shang)變(bian)頻(pin)(pin)器(qi)(qi)。 該混頻(pin)(pin)器(qi)(qi)采用(yong)(yong)兩個(ge)標準雙平(ping)衡混頻(pin)(pin)器(qi)(qi)單元和一個(ge)90度混合(he)器(qi)(qi)件(jian)(jian)，均采用(yong)(yong)GaAs MESFET工藝制(zhi)(zhi)造。 HMC524ALC3B低頻(pin)(pin)正交混合(he)器(qi)(qi)件(jian)(jian)用(yong)(yong)于產生100 MHz IF輸(shu)出。 該產品為(wei)混合(he)型鏡(jing)像(xiang)抑(yi)制(zhi)(zhi)混頻(pin)(pin)器(qi)(qi)和單邊(bian)帶上(shang)變(bian)頻(pin)(pin)器(qi)(qi)組件(jian)(jian)的小型替代器(qi)(qi)件(jian)(jian)。立維創展(zhan) ADI現貨HMC524ALC3B無需線焊，可以使用(yong)(yong)表貼制(zhi)(zhi)造技術。

HMC524ALC3B應用

• 點對點和點對多點無線電
• VSAT 
• 測試設備和傳感器

• 軍用最終用途

HMC524ALC3B優勢和特點

• 無源：無需直流偏置
• 轉換損耗： 9 dB
• 鏡像抑制： 20 dB（典型值）
• LO至RF隔離：35 dB（典型值）
• LO至IF隔離：25 dB（典型值）
• IP3：18 dBm（典型值）
• P1dB：17 dBm（典型值）
• 中頻引腳頻率：DC ? 4.5 GHz
• 12引腳、3 mm × 3 mm SMT陶瓷封裝

HMC524ALC3B結構圖