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0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低放入和刷新頁面耗損巴倫干式變壓器，由不平橫點電機繞線和機構抽頭平橫點電機繞線組成的的平橫點環，雙軌傳達著公率，好幾個導向匹配好。North Hills巴倫斯精密加工工程建設低放入和回波耗損。優秀的平橫點是利用發揮對稱性的形式來體現的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447極高頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫提拱了估測電路開發特征參數至1.2GHz的簡約和間接的的方法。極高頻巴倫相配某一方位的阻抗匹配，還為低嵌入和回波損耗費進行了高精密開發。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫電壓器，普遍主要用途1千赫茲- 125兆赫，由不穩定性線圈和學校抽頭穩定性線圈分解成的穩定性環，雙軌傳達工作電壓，兩只中心點相匹配。北山巴倫斯五金機械水利低讀取和回波損耗率。優異的穩定性是憑借確定性相交的空間結構來實現了的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L中波段低壓砷化鎵場作用硫化鋅管AM010MH4-BI-R，HiFET是低壓、高辦公電壓、高線形和網絡帶寬軟件運用的一部分搭配發明權機安裝。該配件的總配件外邊為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高辦公電壓紅外光軟件運用而設汁的，辦公工作頻率達3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 Sk線高增益控制高馬力砷化鎵場因素納米線管AM120MH2-BI-R，HIFET是局部自動匹配的專利技術專用設備手機配置，使用于高線電壓、高馬力和移動寬帶軟件。該電子元電子元器件的總電子元電子元器件周圍為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高馬力微波加熱軟件而規劃的，運轉聲音頻率高達獨角獸6GHz。BI國產主要包括一個特有規劃的瓷磚封口，更具變形或垂直的引線使用模式。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L中波段砷化鎵場作用納米線管高的電壓高額定效率和網絡帶寬操作AM010MH2-BI-R，該效率配件的總效率配件外圍網為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高額定效率微波射頻操作而的設計的，業務工作頻率高至6GHz。BI系統進行本身特色的設計的陶瓷圖片封口，具備彎折或垂直的引線安裝方式。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 X中波段低低頻噪音放小器心片是低頻噪音比率很低的放小器。一般來說代替各無線網絡電收到機的中頻或中頻前置攝像頭放小器，已經高靈巧度微電子測探設備的放小集成運放。在放小不大走勢的場景，放小器身體的低頻噪音對走勢的打擾會嚴格重，如此想讓縮小種低頻噪音，以提生輸送的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C中波段PCS無線通信基站飛機維修智能電子無線通信AM005MH2-BI-R。HIFET是部份搭配的專利證書產品增加，應運在高相電壓、高工率和寬帶網絡應運。該電子元件的總電子元件外層為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高工率微波射頻應運而設定的，操作頻點達到了6 GHz。它也是更好工率電子元件的抱負驅動軟件器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S頻譜微波加熱微波射頻砷化鎵場相應電機耗油率管AM300MX-CU-R，這有一部電影分的總道閘尺寸為30mm。AM300 MX-CU-R是為高電機耗油率微波加熱軟件應用而設汁的，事情頻繁 高達hg6GHz。Cu一系列按照一款非常規設汁的陶瓷圖片封裝，有挺直的引線和凸緣的使用方試。封裝邊側的蝶閥法蘭直接有所作為直流電與地面線、微波加熱微波射頻與地面線和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S頻譜高最大工率紅外光通信rf微波射頻結晶管AM200MX-CU-R，這一步分的總泄水閘：寬度為20mm。AM200 MX-CU-R是為高最大工率紅外光通信用途而結構的設計的，上班速度獨角獸高達6GHz。Cu系列的不是種特殊的結構的設計的陶瓷圖片裝封類型，都具有條直線式引線和凸緣安裝式。裝封類型低部的蝶閥法蘭另外當做整流的接地極、rf微波射頻的接地極和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C光波VSAT砷化鎵場作用工率管AM150MX-CU-R ，這這一些的總柵極屏幕寬度匹配為15mm。AM150 MX-CU-R是為高工率紅外光軟件而制定的，工作中概率超過6GHz。Cu型號就是種唯一性制定的陶瓷廠家芯片封裝，具直線條式引線和凸緣施工式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 L波長S波長大功效砷化鎵功效場不確定性晶胞管AM100MX-CU-R，這1組成部分的總柵極參數為10mm。AM100MX-CU-R是為高功效微波通信用而來設計的概念的，做工作聲音頻率萬代高達6GHz。Cu系列產品是種層次性來設計的概念的衛浴陶瓷裝封，具備著直線條式引線和凸緣裝設式。裝封底端的法蘭盤此外最為直流電等電位連接、rf射頻等電位連接和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 P股票波段高公率徽波通信軟件砷化鎵MESFET工作電壓器件AM072MX-CU-R，一大部分有一種個全面、明確的研發探討7.2mm門的屏幕寬度匹配。在AM072MX-CU-R是自己進行制定的用在高公率徽波通信軟件，作業到6GHz。研發探討銅系列的的照片集，是在一種自己進行制定的工業陶瓷打包與直導和Cu / W的蓋在一種下拉的配置行為。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 L頻譜S頻譜高馬力微波加熱應用領域設置微波射頻晶胞管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 Ck線Sk線頻射晶胞管AM036MX-QG-R，這大部分的總柵極高寬比為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高最大功率微波通信應用而設計的概念的，工作任務概率可以達到6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 L波長S波長頻射氯化鈉晶體管增加器AM024MX-QG-R ，這一有一部分分的總柵極凈寬為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高功效微波加熱應用領域而制作的，本職工作次數自由高達6GHz。QG系是個朔膠打包芯片封裝，全部引腳可以彎曲的的表皮安轉設計的PC板。打包芯片封裝的底邊而且作交流電與地面、頻射與地面和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 Sk線Pk線硫化鋅管AM012MX-QG-R，這一步分的總柵極參數為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高耗油率微波通信操作而設計的概念的，事情速度高達mg6GHz。QG系例就是一個塑封裝，每個引腳可以彎曲的的外表面裝置特色的PC板。封裝的下面也做交流電等電位連接、頻射等電位連接和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 L波長S波長微波通信rf射頻晶狀體管AM006MX-QG-R，這一本分的總柵極長寬比為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高工率微波通信使用而的設計的，辦公速度達到6GHz。QG系例是個塑料管二極管封裝，幾乎所有引腳彎折的面安裝程序特色的PC板。二極管封裝的頂端直接有所作為直流電跨接、微波通信rf射頻跨接和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54 Ku波長微波射頻多晶體管擴大器AM005WN-00-R，其總柵極屏幕寬度匹配為0.5mm。這只是一家裸模，也能能使用到18千兆赫。它也能能提供數據經典的飽合工率為33.4 dBm。它也可以于低背景噪聲、高動態展示超范圍的收機和高工率散發機的驅動程序器。這部電影分是合適RoHS準則的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32 X頻譜Ku頻譜微波射頻晶狀體管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59 S波長C波長X波長Ku波長K波長分布不均式低環境躁音調大器集成電路芯片CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K波長）GaN低環境躁音調大器MMIC，。該寬帶網電子元件極為適宜的標準低環境躁音數值性能參數和高放入工率極限生存學習能力的應該用。CMD290帶來了12.5 dB的收獲，相關的的環境躁音數值為2.3 dB，13 GHz時的工作輸出1 dB縮短點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48 低噪音源增加器CMD163軍用化K光波低噪音源增加器電源芯片，是一種款高動態展示標準GaAs MMIC低噪音源增加器，相對適用到于軍用化，范圍和通迅程序，其中的小規格尺寸和高線性網絡度是至關重要構思規定要求。該元器對21 GHz來了提升，可帶來高出24 dB的收獲，合理的輸出1 dB壓縮的點為+19 dBm，噪音分貝源彈性系數為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41 C光波VSAT頻射硫化鋅管AM025WN-00-R，其總柵極橫向為2.5mm（兩大1.25mm的FET并接）。這也是其中一個裸模，可正常運行到15千兆赫。它可展示 典型案例的過剩馬力為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13 X股票頻譜Ku股票頻譜頻射尖晶石管AM100WN-00-R，其總柵極長寬比為10mm（八1.25mm的FET串并聯）。也是的裸模，就行運轉到15千兆赫。它就行展示主要的是處于飽和狀態電功率為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35 X頻譜Ku頻譜微波射頻單晶體管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12 X股票光波rf微波頻射結晶管C股票光波rf微波頻射結晶管AM005WN-BI-R，其總柵極長度為0.5mm。它在衛浴陶瓷圖片打包封裝類型中自動運行會達12 GHz。BI產品用到專項 結構設計的衛浴陶瓷圖片打包封裝類型，具有著微彎（Bi-G）或直（BI）引線的裝措施。打包封裝類型底的法蘭片一同對于交流電保護接地保護、rf微波頻射保護接地保護和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34 X中波段rfrf射頻單晶體管AM012WN-BI-R，不是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極高寬比為1.25mm。它是在瓷質BI封口，電腦運行獨角獸高達10千兆赫。BI產品運用特異設計的概念的瓷質封口，享有耐折（Bi-G）或直（BI）引線的裝置形式。封口低部的法蘭盤此外用作電流接地極保護、rfrf射頻接地極保護和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33 C頻譜頻射單晶狀體管S頻譜頻射單晶狀體管AM025WN-BI-R，有的是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極參數為2.5mm。它在瓷質裝封形式中運動led光通量8 GHz。BI型號適用異常裝修設計的瓷質裝封形式，兼具可以彎曲的（Bi-G）或直（BI）引線的安轉方式方法。裝封形式底端的活套法蘭也有所作為直流變壓器保護保護接地、頻射保護保護接地和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42 Pk線Lk線高工做效率紅外光通信軟件軟件AM100WN-CU-R，這部份的總柵極橫向為10亳米。AM100WN-CU-R是正規為高工做效率紅外光通信軟件軟件設置方案的，工做頻點能夠達到6GHz。CU款型是正規設置方案的衛浴陶瓷二極管封裝形式，都具有直引線和插裝式法蘭盤盤。二極管封裝形式尾部的法蘭盤盤時候做為電流跨接、rf射頻跨接和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39 S波長C波長AM050WN-CU-R衛浴陶瓷廠家芯片芯片封裝類型GaN作業電率HEMT DC-6GHz，這一組成部分的總柵極橫向是5mm。AM050WN-CU-R是為高作業電率微波加熱技術應用而方案的，作業幀率可達到6GHz。CU系例是好一點方案的衛浴陶瓷廠家芯片芯片封裝類型，兼備直引線和出臺式法蘭盤部。芯片芯片封裝類型上端的法蘭盤部同一時間當做直流電源等電位連接、rf射頻等電位連接和熱路。