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S光波高增加收益高最大功率砷化鎵場相應硫化鋅管AM120MH2-BI-R

上線期限(xian):2018-11-05 15:21:31     挑選(xuan):1633

描述
AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙系的一款分。HIFET是部份適合的專業裝備配資,適用于高電壓降、高額定輸出和聯通寬帶使用。該元電子元器件的總元電子元器件周圍為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高額定輸出徽波使用而的結構設計的,工作上頻率獨角獸高達6GHz。BI系用種層次性的結構設計的陶瓷圖片芯片封裝,含有可以彎曲的或條直線的引線安裝模式。芯片封裝頂端的卡箍一并做直流電壓一定接地裝置、頻射一定接地裝置和熱路。此HiFET是適用RoHS要求的。

品牌 型號 貨期 庫存
AMCOM AM120MH2-BI-R 1周 80
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特征
14伏
高達6 GHz的高頻操作
高增益:g= 14dB@ 2GHz
高功率:P1dB=39 dBm @ 2GHz
高線性度:IP3=49 dBm @ 2GHz
使用有效的散熱的陶瓷廠家二極管封裝


應用
寬帶應用
高電壓10~14V
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和HyLLA
航空電子通信
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