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描述
AMCOM的AM00 5WN BI-R一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極高度為0.5mm。它在工業陶瓷制品封裝中進行可以達到12 GHz。BI型號應用專項 設定的工業陶瓷制品封裝，含有拉伸（Bi-G）或直（BI）引線的安轉模式。封裝下方的法蘭部而且作為一個直流電接地裝置系統、頻射接地裝置系統和熱路。整一部分是貼合RoHS基準的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM005WN-BI-R	1周	60

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特征
高達12 GHz的高頻操作
增益＝15dB，p5dB＝33.5dBm，PAE＝51%，漏極＝56% @ 3GHz。
表面貼裝
合理有效cpu散熱的左下角

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機