X中波段微波射頻單晶體管AM012WN-BI-R
發布公告時(shi)光:2018-10-31 15:54:34 挑(tiao)選:2204
描述
AMCOM的AM012WN-Bi-R就是一個離散的GaN/SiC HEMT,其總柵極間距為1.25mm。它是在瓷磚BI打包裝封類型,進行獨角獸高達10千兆赫。BI題材的使用特色設計的概念的瓷磚打包裝封類型,具拉伸(Bi-G)或直(BI)引線的使用途徑。打包裝封類型最下面的活套法蘭互相為直流電壓接地保護保護、rf射頻接地保護保護和熱路。這部電影分是具備RoHS準則的。
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品牌
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型號
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貨期
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庫存
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AMCOM
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AM012WN-BI-R
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1周
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50
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特征
高達10 GHz的高頻操作
增益=17dB,p5dB=37 dBm,PAE=51%,漏=55% @ 2.8 GHz。
表面貼裝
有效地,散熱處理的最下面
應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機