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描述
AMCOM的AM025WN-Bi-R都是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極長度為2.5mm。它在陶瓷圖片圖片芯片裝封中作業會達8 GHz。BI系統操作特出方案的陶瓷圖片圖片芯片裝封，具備有彎折（Bi-G）或直（BI）引線的重新安裝方案。芯片裝封側面的法蘭部時候為整流接地保護裝置、rf射頻接地保護裝置和熱路。一這個是具備RoHS標準規范的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM025WN-BI-R	1周	50

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特征
高達8 GHz的高頻操作
增益＝16 dB，p5dB＝40 dBm，PAE＝52%，漏極＝56% @ 3 GHz。
表面貼裝
有效的排熱的底端

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機