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我們報告了一種高性能的GaN放大器。運行從100MHz到3000兆赫。最好的結果包括100W的輸出功率，22dB增益，40%的功率增加效率從100MHz到3000兆赫。這個性能是通過裁剪兩個設備來實現的。阻抗與獨特的寬帶電路匹配拓撲結構。二者詳細設計技術將給出器件和匹配電路。索引條款-寬帶放大器，高壓技術，微波器件，功率合成器，MMICs。
一、引言
寬帶、高功率、高效率放大器是一種先進通信系統中的關鍵元素搜索和救援軟件無線電為消防隊員，警察，和海軍陸戰隊。實現寬帶的傳統技術放大是使用行波方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路對器件進行變換輸入阻抗和輸出阻抗為50歐姆〔3〕。如果大功率設備輸出阻抗與50歐姆有很大不同。后一種方法的輸出匹配電路遭受了大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器的輸出功率和效率。本文報告了一種新方法，增加了一個新的尺寸為寬帶放大器設計。除了
只需使用電路匹配技術，我們還可以定制。器件輸出阻抗接近50歐姆。這種方式使輸出阻抗匹配電路相對簡單低損耗，導致寬帶高性能輸出功率和高功率附加效率。第2節概述了GaN HEMT 30W的設計MMIC PA用作100W的積木放大器。第3節描述100W的拓撲結構。放大器。第4部分是結論。
二。30W GaN MMIC放大器
達到100W以上的輸出功率超過100-3000兆赫，我們功率結合四，2階段GaN MMIC PA。每個MMIC具有30W的輸出功率，具有2dB的增益。期望波段。圖1顯示了30W MMIC的布局第一級器件尺寸為2mm，分為兩個1mm。路徑。第二級器件由四、2x1.12mm組成。
HEMT這樣的2x1.12mm的的產品接入1.12mm的兩大DC和RF電容串并聯單元容量微型蓄電芯電子元電子元電子元器件封裝。公司又稱選配HIFET〔4, 5, 6，7〕。交流電電偏置電阻與微波微波射頻這樣的HIFET的傷害精度傷害抗阻幾乎都是1.12mm單元容量微型蓄電芯控制系統。保證 恰當的選定 單元容量微型蓄電芯電子元電子元電子元器件封裝長寬和電容串并聯單元容量微型蓄電芯電子元電子元電子元器件封裝的占比可優化系統HIFET最適宜傷害精度傷害抗阻貼近保證 50歐姆，保證 網絡帶寬耐腐蝕性。圖2A和2B凸顯首要的的時候和最后的的時候的插入和傷害精度傷害抗阻，各用。請準備，最后的的時候合理性。在0.25GHz的傷害精度電阻值傷害抗阻貼近50歐姆。這樣的成果導致低微波微波射頻材料耗費網絡帶寬相配，這里是高傷害精度工作功率保證 寬頻率段的決定性性和效果。這50歐姆最適宜傷害精度傷害抗阻為保證 恰當的選定 單元容量微型蓄電芯電子元電子元電子元器件封裝長寬和系列作品的產品的占比。正是因為最后的的時候有2單元容量微型蓄電芯電容串并聯，交流電電偏置電阻為60V的最后的的時候。