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CREE的CMPA1D1E025F是款增碳硅多晶硅上利用氮化鎵 (GaN) 高網絡轉遷率納米線管 (HEMT) 的片式微波通信集成系統電路系統 (MMIC)；應用 0.25 μm 柵極盡寸設計新工藝。與硅相對來說較，GaN-on-SiC包括非常比較好的特點；砷化鎵或硅基氮化鎵；構成更強的擊穿電壓場強；更強的飽和狀態網上漂移使用率和更強的傳熱性因子。CMPA1D1E025 配用 10 輸電線；25 mm x 9.9 mm；重金屬/陶瓷圖片法蘭部盤封裝形式并能建立最非常完美的組合件機器和熱增強性。

的特征

24 dB 小的信號增加收益值(zhi)

40 W 明顯智能(neng)衛星信(xin)號 PSAT

額定電流值高至 40 V

OQPSK 下 20 W 線(xian)性網絡效率

A/B類高(gao)增益控制；高(gao)效性率 50 Ω MMIC Ku 頻段段高(gao)公率變小器

應用軟件領域行業

軍工概念股(gu)用(yong)和商業應用(yong) Ku 頻譜雷達天線

物品外形尺寸

說明：25瓦；13.75 至(zhi) 14.5 GHz；40V；Ku 中波段 GaN MMIC 電(dian)機功率調小器

低(di)于的頻率(MHz)：13500

最低速度(du)(MHz)：14500

高達值(zhi)導(dao)出額定功率(W)：25

增加收(shou)益值(dB)：26.0

做工作利用率(lv)（％）：16

額(e)定值的電壓(V)：40

類型的(de)：封裝形式的(de)MMIC

芯片封(feng)裝類(lei)：法蘭(lan)盤(pan)盤(pan)

高技術：GaN-on-SiC

佛山市立維創展創新科技局限廠家許可供應商CREE微波通信集成電路芯片，要(yao)是(shi)必須 購CREE食品，請打開右方軟件客服認識小(xiao)編！！！