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Qorvo的(de)TGA2576-2-FL是一個(ge)款(kuan)帶寬耗油率(lv)放小器(qi)，用Qorvo路(lu)經(jing)核實(shi)的(de)0.25um GaN on SiC產出(chu)(chu)技術應(ying)用制造出(chu)(chu)而成。TGA2576-2-FL工作上(shang)次數標準為2.5至6 GHz，呈現飽和狀態所在(zai)瓦(wa)數為40W，瓦(wa)數擴展(zhan)利用率(lv)高過(guo)36％，數據信號增(zeng)加收(shou)益需小于29dB。

考(kao)慮到保證 完美的(de)散熱管理和處里(li)，TGA2576-2-FL進行源于CuW的(de)活套法蘭(lan)芯片封裝，還可以在(zai)CW和脈沖(chong)發生器格局下工(gong)作(zuo)的(de)。

TGA2576-2-FL完(wan)(wan)完(wan)(wan)全全搭配50歐姆(mu)，并(bing)在的兩個I / O網口上集就(jiu)成(cheng)為了(le)DC梗阻電容（電容器），愈(yu)來愈(yu)好使用各(ge)項企(qi)業和中國國防有關應(ying)用。

無鉛且符合(he)規則RoHS規則。

評估報(bao)告格式板可表明規定(ding)保證。

一般結構特征

• 次數標準：2.5 - 6 GHz
• Psat @ Pin = 26 dBm：46.5 dB CW
• PAE @ Pin = 26 dBm：36％CW
• 小電磁波增益控制：29 dB
• 偏壓：Vd = 30V，Idq = 1550mA，一般值Vg = -2.5V
• 長度：11.4 x 17.3 x 3.0 mm

主要表現適用