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CREE的CMPA1D1E030D是款氫氟酸處理硅多晶硅上會按照氮化鎵 (GaN) 高網絡轉移率結晶體管 (HEMT) 的片式紅外光集成式電路設計 (MMIC)；CMPA1D1E030D使用的0.25μm柵極尺寸加工制作工藝 的技術。與硅比起較，GaN-on-SiC還具有更進一步出色的效果；砷化鎵或硅基氮化鎵；主要包括更好的穿透場強；更好的飽滿網絡漂移錯誤率和更好的熱傳導公式。

優點

27 dB 小(xiao)警報增(zeng)益控(kong)制值

30 W 典型的 PSAT

作(zuo)業電流電壓高至 40 V

高損壞場強

耐高溫度控制車

選用教育領域

小(xiao)行星通(tong)訊設備上(shang)升時(shi)延(yan)

產品品種

詳(xiang)情(qing)：30瓦；13.75 至(zhi) 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 電機功(gong)率(lv)拖(tuo)動(dong)器(qi)

低于的(de)頻率(MHz)：13750

最好速率(MHz)：14500

極(ji)高值(zhi)效果瓦(wa)數(shu)(W)：30

增益值(zhi)(zhi)值(zhi)(zhi)(dB)：26.0

轉化(hua)率（％）：25

上(shang)班線電壓(V)：40

主(zhu)要形式：MMIC 裸片

打包封裝(zhuang)門類：Die

技術(shu)水(shui)平：GaN-on-SiC

東(dong)莞 市立維(wei)創展網絡有(you)限制平(ping)臺(tai)授權證書經銷處CREE微(wei)波(bo)通(tong)信(xin)功率器件(jian)，假如(ru)需(xu)購CREE成品，請超鏈接右邊客服專員溝通(tong)我們(men)公司！！！