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CMPA1C1D060D是款氧化硅單晶體上會根據氮化鎵 (GaN) 高電子器件轉至率單晶體管 (HEMT) 的單支微波射頻模塊化電路板 (MMIC)；CMPA1C1D060D軟件0.25 μm柵極的尺寸加工生產工藝。與硅不同之處較，GaN-on-SiC具備著更有優異的的功效；砷化鎵或硅基氮化鎵；涉及到更加高的電壓擊穿場強；更加高的達到飽和狀態電子設備漂移有效率和更加高的導熱性數值。

本質特征

具備條件 26 dB 小(xiao)信(xin)息收獲值(zhi)

60 W 主要表現 PSAT

額(e)定負載(zai)電阻值高至(zhi) 40 V

高電壓擊穿場強

耐高溫度操作

軟件應用教育領域

PTP 無線路由光纖通信

衛星影(ying)像通(tong)訊網絡下行(xing)鏈接

物品規格

描述英文：60瓦；12.7 至 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 電功率圖像(xiang)放大(da)電路

低點幾率(MHz)：12700

很高速度(du)(MHz)：13250

更高值輸(shu)出精度額定功率(W)：65

收(shou)獲(huo)值(dB)：26.0

效果(guo)（％）：30

功率電壓電流(V)：40

策略：MMIC 裸(luo)片(pian)

打包(bao)封裝品類：Die

高(gao)技術APP：GaN-on-SiC