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CGHV96050F1是(shi)款(kuan)碳化(hua)硅(SiC)基材(cai)上的(de)(de)氮化(hua)鎵(GaN)高(gao)電(dian)(dian)子遷移率晶體(ti)管(guan)(HEMT)。與其它同類(lei)產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具(ju)有卓越的(de)(de)功率附帶效(xiao)率。與硅或砷(shen)化(hua)鎵相比較，GaN具(ju)有更加優異的(de)(de)性能；包含(han)更高(gao)的(de)(de)擊穿場強；更高(gao)的(de)(de)飽和(he)(he)電(dian)(dian)子漂移效(xiao)率和(he)(he)更高(gao)的(de)(de)導熱(re)系數。與GaAs晶體(ti)管(guan)相比較，GaN HEMT還推(tui)出更高(gao)的功率密度和(he)更寬(kuan)的帶寬(kuan)。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷法蘭(lan)盤封裝形式，能夠實現最好(hao)電力設備和(he)熱穩定性。

顯著特點

7.9–8.4GHz工做

80WPOUT（典范(fan)值）

>13dB效率增加收益值

33%經典非線性PAE

50Ω內搭配著

<0.1dB電率降

利用區域

衛星影像網絡通信

地表網絡帶寬

類產品年紀

描繪：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；導入/輸入輸出如何搭配GaNHEMT

比較(jiao)低頻點(MHz)：7900

較高頻段(duan)(MHz)：8400

最多值(zhi)模(mo)擬(ni)輸出功效(W)：50

收獲(huo)值(zhi)(dB)：13.0

學習效(xiao)率（％）：33

額定負載直(zhi)流電(dian)壓(V)：40

內容：打包封(feng)裝(zhuang)內容分立尖晶(jing)石(shi)管

封裝(zhuang)結構類型行(xing)業類型：法(fa)蘭片盤(pan)

系統選用：GaN-on-SiC