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?CGHV50200定位通訊技術氮化鎵高電子器材遷出率晶狀體管CREE

分享時候(hou):2024-01-16 17:16:48     訪問(wen) :893

CGHV50200F是種專業書籍設計用在高(gao)效化氮化鎵(GaN)高(gao)電子遷移率(lv)晶體(ti)管(HEMT);高(gao)增益(yi)和寬帶寬性能;從而使得(de)CGHV50200F成(cheng)為(wei)了(le)對(dui)流層(ceng)光學散(san)射通(tong)訊(xun)的(de)最佳選擇(ze);4.4-5.0GHzC頻率(lv)段衛星通(tong)訊(xun)應用與(yu)超低空。CGHV50200F選用陶瓷/金屬法蘭封裝形式(shi)。

CREE (17).png

顯著特點

4.4–5.0GHz辦公(gong)

180W普通PSAT

11.5dB通常效(xiao)率增益(yi)值(zhi)值(zhi)

48%熟(shu)悉(xi)電原使用率

50Ω里面適用

使用范圍

北斗衛星通信網絡

撼動光(guang)線——BLOS

自然通風層(ceng)光學儀器(qi)散射通訊網絡

企業產品標準

描術:200瓦(wa);4400-5000MHz;50Ω錄(lu)入/轉(zhuan)換匹(pi)配(pei);氮化鎵高微電(dian)子遷入率多晶體(ti)管

最低的(de)速度(MHz):4400

至高工(gong)作頻率(MHz):5000

更高值輸(shu)出的功率(W):200

收獲值(dB):11.5

崗位率(%):33

固定線電壓(ya)(V):40

的(de)結構(gou)類(lei)型:封口的(de)結構(gou)類(lei)型分立單(dan)晶體管

二極管封裝品類(lei):卡箍盤

的技術(shu)選用:GaN-on-SiC

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