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VTM48EF040T050B0R雙相電壓電流持續增長器就是種正弦交流電升幅轉變成器（SAC?)從26到55VDC主電源線或2.2至4.6VDC協助電壓向裝載供電系統。VTM48EF040T050B0R雙邊余弦振動幅度改換器，帶1個/12來隔離防曬和轉化工作電壓。SAC出具的低交流溝通抗阻超出了基本上數上中游變為器的服務器帶寬。所以，它在穩壓變為；一般是，負債處的濾波電解電容也可以應用于正弦函數力度變為器的源處，以保證 濾波電解電儲槽寬度的縮減。可能VTM48EF040T050B0R的k公式是1，/12，以至于在源極坐落原邊的APP中，原邊的電容器值可以減少144倍，然而節約使用電源集成電路板大小、原材料和總系統軟件成本預算。

VTM48EF040T050B0R采取(qu)(qu)VI處理(li)(li)器封口(kou)，兼容標淮(huai)取(qu)(qu)放和(he)表貼制做制作工藝(yi)。鑒(jian)于過大(da)的(de)熱(re)數據接口(kou)占地面積和(he)漂亮的(de)導熱(re)性性，共模VIIC芯片(pian)裝封帶來了了明顯增強(qiang)的(de)散熱(re)片(pian)理(li)(li)。與過去(qu)的(de)的(de)方式不同之處，VTM48EF040T050B0R的(de)高轉(zhuan)為學(xue)(xue)習(xi)學(xue)(xue)習(xi)效(xiao)率加快了另一(yi)系(xi)統的(de)學(xue)(xue)習(xi)學(xue)(xue)習(xi)效(xiao)率，大(da)大(da)減少了進(jin)行資金。

VTM48EF040T050B0R能夠使用質數降解電原搭建(jian)，使用有效(xiao)降低改變和合理安排消耗(hao)或是(shi)有利于促進(jin)負荷改變的高容(rong)重點來給(gei)出成功率和長(chang)寬比優劣勢。

性能參數和優點

?48VDC至4VDC50A雙項電壓增(zeng)漲器

?要(yao)為無(wu)線連接去次側(ce)或分批側(ce)的過載(zai)供電公司

?效果(guo)率（>94%）能減少操作系統功(gong)效耗費

?高度密集計(ji)算公式（170A/in3）

?“全處理芯片”VIChip?二極管封裝達成(cheng)與平臺(tai)板的外面貼裝、低抗阻互(hu)連

?包擴對應下列關于問(wen)責(ze)方(fang)式的內嵌保護控(kong)制系統(tong)：

n過壓修(xiu)改

n過交流電(dian)維(wei)護

n發生故障保護性

n溫度(du)保(bao)護的(de)

?提(ti)高打火/禁止使用操(cao)控性、內部的(de)工作溫度判(pan)斷

?ZVS/ZCS諧振正弦函(han)數波(bo)幅改變器拓撲關系

?在具(ju)代表性適用中，載重時溫暖偏高遠低于50oC

VTM48EF040T050B0R電源功能功能安利做為三維空間密集好產品，能展示大電流大小高電率但仍然VTM48EF040T050B0R停售(shou)，市場中(zhong)只的選(xuan)擇復制規格型號(hao)。

市揚(yang)建議(yi)的(de)臺達主打產品(pin)Cyntec的(de)MPN541382-PV，Mblock輸出功(gong)率摸(mo)塊(kuai)的(de)品(pin)牌(pai)，可控制極性2的(de)進(jin)行連(lian)接的(de)方(fang)式，展示高(gao)至1000w的(de)環(huan)境下(xia)瓦數，而封口重量僅有2.8*17.3*7.7mm。

Cnytec公司設(she)立于(yu)1991年，以技術(shu)運(yun)用(yong)(yong)全新為重、生產制(zhi)造(zao)(zao)售銷高精等級和高體(ti)積密(mi)度信息(xi)功能模(mo)塊、傳壓力傳感(gan)器(qi)(qi)器(qi)(qi)和運(yun)用(yong)(yong)方面系統方案。軟(ruan)件最主要(yao)的具有智能家居控制(zhi)電感(gan)、瓦(wa)數信息(xi)功能模(mo)塊和高精等級內(nei)阻(zu)。廣泛的使(shi)用(yong)(yong)在(zai)運(yun)動(dong)最終、流量基站機(ji)器(qi)(qi)設(she)備、機(ji)械制(zhi)造(zao)(zao)機(ji)器(qi)(qi)設(she)備等。