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VTM48EF040T050B00是款高效益的（94%正弦交流電震幅換算器（SAC）主系統總線從26到55VDC使用，以保證隔離防曬效果。余弦震幅轉變成器保證的低聊天特性阻抗高出了絕大普遍數河流下游轉為器的下行帶寬；故而，基本上額定負載電解電容會在余弦波幅轉變成器的進入端。正是因為VTM48EF040T050B00的k彈性系數是1，/12，全部電容器值可不可以減短144倍，而節約使用了板占地、建筑材料和總系統的直接費用。

VTM48EF040T050B00采取(qu)VI集(ji)(ji)成(cheng)ic封裝(zhuang)，兼(jian)容規范標準取(qu)放和表貼安裝(zhuang)的工藝(yi)。考慮到更大的熱插(cha)孔的面積和出彩的熱傳導性(xing)(xing)，共模VI集(ji)(ji)成(cheng)電(dian)路芯(xin)(xin)片芯(xin)(xin)片封裝(zhuang)出具了改善的散熱片理。與傳統性(xing)(xing)方(fang)式 優(you)于，VTM48EF040T050B00的高變(bian)為速率提生了整體的系(xi)統的的速率，降底了加載(zai)投資成(cheng)本。

VTM48EF040T050B00可以運用分子拆解電(dian)(dian)壓系統架構，在縮減轉(zhuan)為和管理衰(shuai)減包括促進會高(gao)孔隙率電(dian)(dian)流點轉(zhuan)為來可以提供(gong)有效率和尺碼優(you)點。

作用和優勢之處

?48VDC至4VDC 50A直流電增長器(qi)

在標準規(gui)定48V或24V PRM下運轉(zhuan)?改(gai)善器

?高提高效率的(de)率（>94%）可大幅度(du)降低體統(tong)能耗

?高強度(du)（170A/in3）

?“全集成ic”VI Chip?芯片封裝保證了(le)與軟件板的表層配置(zhi)、低輸出阻抗互連

?涉及面(mian)對下(xia)列(lie)情形(xing)的內設愛(ai)護(hu)職能：

過直流電壓綁定

過電壓電流

漏電

cpu過熱

?帶來起(qi)用(yong)/不可用(yong)操控、內部組織(zhi)溫差監測(ce)方案

?ZVS/ZCS諧振余(yu)弦浮度改換器拓撲(pu)關系

?在非常典型應用領域中，滿負荷時升溫高于50oC

VTM48EF040T050B00電控制模塊建議用做前景緊身設備，并能能提供大工作電流高額定功率但因此VTM48EF040T050B00停售，整個市場只(zhi)進(jin)行復制款型。

領域建議的(de)(de)臺達(da)主打的(de)(de)Cyntec的(de)(de)MPN541382-PV，Mblock電(dian)(dian)率(lv)模快的(de)(de)設備(bei)，可實現(xian)了 -2的(de)(de)連結方案，具(ju)備(bei)高至1000w的(de)(de)載荷電(dian)(dian)機功率(lv)，而打包封(feng)裝密度僅有2.8*17.3*7.7mm。

Cnytec開設(she)于1991年，以能力全新(xin)作為(wei)主(zhu)、生孩(hai)子銷售員高(gao)表(biao)面(mian)粗糙度和(he)密度高(gao)的計算公式(shi)信息控制器(qi)、感(gan)應器(qi)器(qi)和(he)應運(yun)域控制器(qi)設(she)汁(zhi)。廠(chang)品常見涉及集成型(xing)電(dian)感(gan)、功效信息控制器(qi)和(he)高(gao)表(biao)面(mian)粗糙度熱(re)敏(min)電(dian)阻。大范圍用(yong)在聯通終端機、通訊技(ji)術通信信號(hao)塔(ta)、廠(chang)家(jia)設(she)施設(she)備等。