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CREE的(de)CGH40045是(shi)款前所未有的(de)晶體(ti)(ti)管(guan)；氮化鎵(GaN)高電(dian)(dian)子遷(qian)移率(lv)晶體(ti)(ti)管(guan)(HEMT)。CGH40045由28伏電(dian)(dian)源軌供電(dian)(dian)設(she)備；提(ti)供通用型目的(de)性；適合(he)各種射頻和微波應用的(de)寬帶網絡解(jie)決方案。GaN HEMT工(gong)作(zuo)效(xiao)率(lv)(lv)高(gao)；高(gao)增益和(he)寬帶網絡寬性能使CGH40045成(cheng)為線形和(he)壓縮功(gong)率(lv)(lv)放大電路的最佳(jia)選擇(ze)。CGH40045晶體(ti)管選用(yong)法蘭盤和(he)藥丸式封裝。

本質特征

操作(zuo)次數達到4GHz

2.0GHz時(shi)16dB小警報增益控制值(zhi)

4.0GHz時12dB小警(jing)報(bao)增加收益值

55W明顯PSAT

PSAT便捷(jie)率有(you)55%

28V實用

采用業務領域

試驗設配

蜂窩狀基礎上設施設備建(jian)筑

帶寬增加器

2路(lu)上用播音

A、AB類

具體(ti)用(yong)來OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA波形參數的線行(xing)調小(xiao)器

產品基本參數

最高頻(pin)率(MHz)：0

最多頻繁 (MHz)：4000

最底值的(de)輸出(chu)工率(W)：45

增益控制值(dB)：12.0

工作(zuo)效率(lv)高率(lv)（％）：55

額定電壓(ya)降(V)：28

式樣：二極管封(feng)裝分立晶胞管

芯片封裝專業類別(bie)：法蘭(lan)部盤、藥丸式狀

高應(ying)用軟件(jian)：GaN-on-SiC