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發表期限(xian):2023-12-12 16:59:41 瀏覽訪(fang)問:880
CREE的(de)CGHV96130F是增(zeng)碳硅(SiC)基本的(de)材(cai)質材(cai)料上的(de)氮化(hua)鎵(jia)(GaN)高(gao)(gao)轉化(hua)率硫(liu)化(hua)鋅管(HEMT)與(yu)各種技術想必,CGHV96130F內外部適應能(neng)力(li)(IM)FET極具(ju)精(jing)湛的(de)熱利用(yong)率扣減利用(yong)率。與(yu)砷(shen)化(hua)鎵(jia)相(xiang)較于,GaN享有挺(ting)(ting)高(gao)(gao)的(de)性能(neng)方面;比如挺(ting)(ting)高(gao)(gao)的(de)電壓擊穿(chuan)場強(qiang);挺(ting)(ting)高(gao)(gao)的(de)過剩電子器件(jian)漂移進(jin)程(cheng)和挺(ting)(ting)高(gao)(gao)的(de)熱導(dao)率。與(yu)GaAs單晶體管相(xiang)較,GaN HEMT還兼具更大的耗油率(lv)容(rong)重和(he)更寬的服務器帶寬。CGHV96130F安全使用金屬件/瓷質法(fa)蘭片封(feng)裝能夠保(bao)證最合適的機械和(he)熱穩定可(ke)靠性。

優點
166WPOUT(典(dian)例值)
7.5dB馬(ma)力收獲值(zhi)
42%典型性PAE
50Ω企業(ye)內部兼容
<0.3dB電機功率變(bian)低
商品規格為
描(miao)繪:130瓦(wa);8.4-9.6GHz;50Ω;最主要(yao)用(yong)在Xk線統計適(shi)用(yong)的鍵入/輸出電壓配適(shi)GaNHEMT
最低幾率(MHz):8400
比(bi)較大工作頻率(MHz):9600
極限(xian)值打(da)印輸出電(dian)機(ji)功(gong)率(W):130
使用率(lv)(%):42
功率線電壓(V):40