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?GTVA101K4 L中波段工作功率變成器CREE

推出精力:2023-09-13 16:58:47     查詢:1246

CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高電(dian)子遷移(yi)率(lv)晶(jing)體管(guan)(HEMT);高增(zeng)益(yi)和寬帶寬性能。從而(er)使得GTVA101K4特別適合0.96–1.4GHz頻(pin)率(lv)段的應用(yong)。GTVA101K4晶(jing)體管(guan)適合于從UHF到1.4GHz的特殊頻(pin)率(lv)段技(ji)術應用(yong)。

本質特征

進入配適

多(duo)見的單(dan)脈沖陸續波性;960–1215MHz;50V;雙層;128μs脈沖發生(sheng)器(qi)大小;10%pwm占空比;P3dB=1400W時的傷(shang)害馬力(li);運轉的效率=68%;增益值值=17dB

無鉛并達到RoHS規范(fan)標準

關鍵技術

雷達探測變成器

CREE(科(ke)銳(rui)(rui))解散于(yu)1987年,CREE科(ke)銳(rui)(rui)具備著(zhu)30十多年的光纖寬(kuan)帶GAP鋼筋取樣料(liao)和(he)創(chuang)新技術(shu)(shu)(shu)品牌,CREE科(ke)銳(rui)(rui)是個完(wan)整篇(pian)的方(fang)案的合作好(hao)朋(peng)友,滿足(zu)rf射(she)頻的的需求,CREE科(ke)銳(rui)(rui)為(wei)行行業內新技術(shu)(shu)(shu)精(jing)英型的機器人環(huan)保(bao)設(she)備保(bao)證更強的電機功率和(he)更低的用途衰減。CREE科(ke)銳(rui)(rui)由(you)最準備的GaN材料(liao)的特性LED品牌技術(shu)(shu)(shu)專業全當今(jin)世(shi)界,到微波加熱rf射(she)頻與亳米(mi)波處理芯片品牌,CREE科(ke)銳(rui)(rui)于(yu)2017年溶(rong)合出微波加熱微波射(she)頻品脾(pi)Wolfspeed,以移動寬(kuan)帶、大額定功率調(diao)大器好(hao)產(chan)品為(wei)優點(dian)。

廣州 市立(li)維創展自動化是CREE的(de)銷售商,具(ju)備CREE徽波(bo)器材優劣勢銷售渠(qu)道(dao)方(fang)式渠(qu)道(dao)方(fang)式,并(bing)長(chang)期的(de)貨存現貨交(jiao)易,以(yi)備不時之需(xu)國家(jia)市場的(de)各種(zhong)需(xu)求。

詳細信息清楚CREE微波加熱射頻微波加熱請點開://www.imyme.cn/brand/35.html

CREE (21).png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

GTVA101K42EV-V1

GaN on SiC

0.96 GHz

1.4 GHz

1400 W

17 dB

68%

50 V

Packaged Discrete Transistor

Bolt Down

LTN/GTVA101K42EV-V1

GaN on SiC

0.96 GHz

1.4 GHz

1400 W

17 dB

68%

50 V

Packaged Discrete Transistor

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