產業介紹
公布的(de)時間段:2023-07-21 17:01:33 查詢:861
Wolfspeed的CMPA2735075是款按照其氮化鎵(GaN)HEMT的片式徽波rf射頻一體化電源線路電源芯片(MMIC)。與硅或砷化鎵相比之下較,CMPA2735075具有最好越的車輛耐腐蝕性;是指越高的熱擊穿場強;越高的過剩電子無線漂移運行速度越高的傳熱指數公式。與Si和GaAs結晶體管不同于較,CMPA2735075可給予更加高的馬力硬度和更寬的頻段參數。CMPA2735075涉及到二級電抗更換調小器電路系統制作技術水平,都可以在更小的侵占綠地面積內確保較為寬的頻段間距。CMPA2735075能具備模頭裝置和法蘭部盤;扭緊式二極管封裝。
癥狀
27dB小4g信(xin)號增益值值
80W經典之(zhi)作PSAT
28V運行
高電壓擊穿場強
持繼較高溫度在使用
軟件各個領域
民用建筑型和軍品用電(dian)磁雷達(da)探測變成器電(dian)源電(dian)路
CREE(科(ke)(ke)銳(rui))解散(san)于1987年(nian),CREE科(ke)(ke)銳(rui)兼具30幾十(shi)年(nian)的(de)(de)網(wang)絡帶寬GAP原的(de)(de)材(cai)料(liao)(liao)料(liao)(liao)和創(chuang)新(xin)性食(shi)品(pin),CREE科(ke)(ke)銳(rui)是一(yi)種(zhong)個完整的(de)(de)的(de)(de)設計方案協議火伴,貼合微(wei)波(bo)射頻(pin)的(de)(de)要,CREE科(ke)(ke)銳(rui)為行同行業技(ji)術(shu)工藝(yi)一(yi)流的(de)(de)系統儀器打造更(geng)強的(de)(de)輸出和更(geng)低的(de)(de)用(yong)途耗(hao)率(lv)。CREE科(ke)(ke)銳(rui)由最(zui)進(jin)(jin)行的(de)(de)GaN材(cai)料(liao)(liao)LED的(de)(de)產品(pin)的(de)(de)技(ji)術(shu)工藝(yi)先進(jin)(jin)全當今(jin)世(shi)界,到微(wei)波(bo)加熱rf射頻(pin)與厘(li)米波(bo)心片的(de)(de)產品(pin)的(de)(de),CREE科(ke)(ke)銳(rui)于2017年(nian)隔離出紅(hong)外(wai)光微(wei)波(bo)射頻(pin)廠家(jia)Wolfspeed,以寬帶網(wang)、大(da)電(dian)機功率(lv)圖像放大(da)電(dian)路好產品(pin)為代表性。
東(dong)莞 市(shi)立維創展科(ke)技(ji)發展是CREE的(de)供(gong)應商商,有CREE紅外光電子(zi)元器件資(zi)源優(you)勢供(gong)應渠道方式,并經常性(xing)存儲外盤,僅作中國(guo)國(guo)的(de)市(shi)場實際需求。
商品詳情知曉CREE頻射紅外光請點一下://www.imyme.cn/brand/35.html

Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CMPA2735075D | GaN on SiC | 2.7 GHz | 3.5 GHz | 75 W | 28 dB | 61% | 28 V | MMIC Bare Die | Die |
CMPA2735075F1-AMP | GaN on SiC | 2.7 GHz | 3.5 GHz | 75 W | 29 dB | 57% | 28 V | Evaluation Board | Flange |
CMPA2735075F1 | GaN on SiC | 2.7 GHz | 3.5 GHz | 75 W | 29 dB | 57% | 28 V | Packaged MMIC | Flange |