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上架時(shi):2023-05-30 17:08:16 看(kan):1232
PTVA035002EV-V1 LDMOSFET設計構思用于390MHz至450MHz聲音頻率段的瓦數變小器運用。性質涉及高收獲和帶螺柱穩定性法蘭盤盤和熱強化型封裝。PTVA035002EV-V1選取Wolfspeed先進的LDMOS加工工藝技巧;PTVA035002EV-V1給出良好的熱動態平衡性和良好整體的正規性。
表(biao)現
不匹配的鍵入所(suo)在
高增加(jia)收益和能力
集(ji)合化ESD保護區
男模特整治2類(通過ANSI/ESDA/JEDECJS-001)
低傳熱比(bi)率
無鉛并夠滿足(zu)RoHS準(zhun)則暫行規定
也能在(zai)57dBm的脈寬現(xian)象下有著13:1的額(e)定負載失諧:12ms脈沖(chong)信號尺寸;10%pwm占空(kong)比(bi)
用
390至(zhi)450MHz概率段(duan)的熱效率變(bian)小(xiao)器
CREE(科(ke)銳(rui))申(shen)請加入于(yu)1987年,CREE科(ke)銳(rui)要(yao)具備30這些年的(de)聯通(tong)寬(kuan)帶GAP原(yuan)原(yuan)料(liao)料(liao)和(he)技術(shu)(shu)創(chuang)創(chuang)新技術(shu)(shu)的(de),CREE科(ke)銳(rui)是一種個(ge)全版的(de)設汁聯合朋友,具有微(wei)波射頻的(de)需要(yao)量,CREE科(ke)銳(rui)為(wei)行業界技術(shu)(shu)工藝(yi)進(jin)取的(de)機器系(xi)(xi)統系(xi)(xi)統展(zhan)示(shi) 更強的(de)耗油率和(he)更低的(de)模塊(kuai)損失。CREE科(ke)銳(rui)由最準備的(de)GaN基面(mian)材料(liao)LED物料(liao)工藝(yi)先進(jin)全社會,到微(wei)波通(tong)信微(wei)波射頻與(yu)mm波處理器物料(liao),CREE科(ke)銳(rui)于(yu)2017年分離法(fa)出微(wei)波加熱微(wei)波射頻公司(si)Wolfspeed,以寬(kuan)帶網絡(luo)、大電率拖動器食品為(wei)杭州特色(se)。
東莞 市立維(wei)創展科學(xue)技術是CREE的(de)生(sheng)產商商,享有CREE紅外光元器(qi)件封裝的(de)優(you)勢購貨推廣方式(shi),并長期性存量現(xian)貨交易,以供我(wo)國(guo)的(de)專業市場要(yao)求。
信息熟知 CREE頻射徽波請彈窗://www.imyme.cn/brand/35.html

Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
PTVA035002EV-V1 | LDMOS | 0.39 GHz | 0.45 GHz | 450 W | 18 dB | 64% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |