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?SemiGen肖特基穩壓管

公布的時間(jian)：2023-05-29 17:00:04     訪問：1056

SemiGen的硅肖特基場效應管堅持創新驅動于40GHz內技藝的采用使用需求設汁。特殊性補救技藝經由種種彩石不銹鋼材質方法為低、結合高阻攔技藝采用出具耐腐蝕性特色。進而最后是有著堅持原則把控電容（電容器）的低功率電阻穩壓管，能夠變現最高的效果。SemiGen肖特基穩壓管低交換損耗率和成績突出的TSS然后使電子元器件大家庭中的一員-二極管變成了作業頻段從S光波到Kak線的監測器/混頻器的技術軟件應用極其解調器、低耗油率被限器和穩定度按鈕的適宜取舍。

顯著特(te)點：

多結操作(zuo)基(ji)帶芯片

低(di)1/F躁音

總(zong)結濾(lv)波電容

利用：

應在混頻器(qi)、發現(xian)器(qi)、倍頻器(qi)庭外和解調器(qi)。

SemiGen是(shi)美式家晶圓(yuan)級(ji)微波(bo)射頻元器材(cai)二極管封裝(zhuang)地位派(pai)手工批發廠家，從晶圓(yuan)到(dao)二極管封裝(zhuang)元器材(cai)二極管封裝(zhuang), 分類大量，從航天部級(ji)MIL-PRF 38534到(dao)軍(jun)用裝(zhuang)備(bei)MIL-PRF 19500、750和(he)883，SemiGen傾力于帶來優秀的(de)的(de)品質和(he)牢靠性。

東莞市立(li)維創展高新科技(ji)不足公司的，管(guan)理權限(xian)經銷(xiao)商于(yu)國部(bu)分銷(xiao)售量SemiGen設備(bei)，并作為安全(quan)服務顧問和(he)售服高技(ji)術扶(fu)持安全(quan)服務。

商品詳情介紹(shao)SemiGen請點擊率：//www.imyme.cn/brand/64.html

SemiGen.jpg

Low Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SLB100

3.0

0.250

0.14

20.0

-55

SLB101

3.0

0.280

0.20

20.0

-52

SLB102

3.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB103

3.0

0.320

0.14

20.0

-48

SLB104

3.0

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0.15

20.0

-55

SLB105

3.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB106

3.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB107

3.0

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20.0

-48

SLB108

3.0

0.250

0.14

20.0

-55

SLB109

3.0

0.280

0.15

20.0

-52

SLB110

3.0

0.300

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20.0

-50

SLB111

3.0

0.320

0.25

20.0

-48

SLB112

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0.250

0.20

20.0

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SLB113

4.0

0.280

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20.0

-52

SLB114

4.0

0.300

0.12

20.0

-50

SLB115

4.0

0.320

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0.35

-48

Medium Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

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Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

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3.0

0.400

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3.0

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0.12

20.0

-48

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3.0

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4.0

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0.15

20.0

-52

SMB205

4.0

0.425

0.15

20.0

-50

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4.0

0.425

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SMB207

4.0

0.425

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20.0

-45

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20.0

-52

SMB209

4.0

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20.0

-50

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5.0

0.450

0.14

20.0

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20.0

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20.0

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20.0

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SMB215

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20.0

-45

High Barrier Schottky Diodes

Part Number

Breakdown
Voltage
@ 10 μA
MIN
(V)

Forward
Voltage
@ 1 mA
MAX
(V)

Junction
Capacitance
@ 0 Vdc 1 Mhz
TYP
(pF)

Series
Resistance
@ 5 mM
TYP
(Ohms)

Tangential
Signal
Sensitivity
TYP
(dB)

SHB300

5.0

0.500

0.14

25.0

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SHB301

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SHB308

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0.14

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