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?CG2H30070F L中波段擴大器CREE

推送準確時(shi)間:2023-03-10 16:33:00     閱讀:1317

Wolfspeed的CG2H30070F是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具有輸入適配,能夠在0.5-3.0GHz范圍之內提供最理想的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較,GaN具有更優越的使用性能;CG2H30070F包括更好的擊穿場強;更好的飽和電子飄移速度和更好的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT還提供了(le)更好(hao)的功率密度和更寬的帶(dai)寬。CG2H30070F選用2導線金屬/陶瓷法(fa)蘭(lan)盤(pan)封裝(zhuang),可以實(shi)現最理想的電氣和熱(re)穩定性。

CREE.png

顯著特點

0.5–3.0GHz應運(yun)電壓用電線(xian)路

28V時標稱數值85WPOUT

10dB電率增益值值

58%的改裝排氣管轉化率

內部管理自適應

操作

寬帶網絡縮放器

通訊技術反擊細則

電磁感應侵擾

預警雷達探測系統

數據報告聯接

CREE(科(ke)銳(rui)(rui))創(chuang)立于1987年,CREE科(ke)銳(rui)(rui)滿足30數年的(de)(de)(de)(de)帶寬GAP原物料(liao)料(liao)和(he)什么是(shi)創(chuang)新(xin)車(che)輛(liang),CREE科(ke)銳(rui)(rui)是(shi)個完善的(de)(de)(de)(de)設計的(de)(de)(de)(de)概(gai)念(nian)協議摯友,按照頻(pin)射(she)的(de)(de)(de)(de)使用需(xu)求,CREE科(ke)銳(rui)(rui)為(wei)(wei)行行業(ye)技術(shu)工(gong)藝技術(shu)領(ling)先(xian)的(de)(de)(de)(de)絲機專(zhuan)用設備(bei)(bei)出具更強(qiang)的(de)(de)(de)(de)馬(ma)力和(he)更低的(de)(de)(de)(de)的(de)(de)(de)(de)功能(neng)消耗的(de)(de)(de)(de)資金(jin)。CREE科(ke)銳(rui)(rui)由最(zui)著手的(de)(de)(de)(de)GaN基面材料(liao)LED服務(wu)設備(bei)(bei)的(de)(de)(de)(de)技術(shu)更優全市(shi)場,到徽(hui)波(bo)頻(pin)射(she)與直(zhi)徑波(bo)IC芯片服務(wu)設備(bei)(bei),CREE科(ke)銳(rui)(rui)于2017年脫(tuo)離出微(wei)波(bo)加熱微(wei)波(bo)射(she)頻(pin)項目Wolfspeed,以寬帶網絡、大最(zui)功率較大的(de)(de)(de)(de)變成器車(che)輛(liang)為(wei)(wei)特色(se)化。

河(he)南市(shi)立維創展科學(xue)技術(shu)是(shi)CREE的銷(xiao)售商(shang),持有CREE微波加熱集(ji)成電路芯(xin)片(pian)優(you)勢(shi)與劣勢(shi)交(jiao)貨(huo)途徑,并長年(nian)庫存商(shang)品現(xian)貨(huo)平(ping)臺,以期中國內地貿易市(shi)場供需。

商品詳情頁熟知 CREE紅外光射頻紅外光請打開://www.imyme.cn/brand/35.html

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H30070F-AMP2

GaN on SiC

0.5 GHz

3 GHz

80 W

15 dB

55%

28 V

Evaluation Board

Flange

CG2H30070F

GaN on SiC

0.5 GHz

3 GHz

80 W

15 dB

55%

28 V

Packaged Discrete Transistor

Flange


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