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發(fa)布信息耗時:2023-02-16 16:39:32 搜索:735
CREE PTVA120501EA的(de)(de)(de)LDMOSFET結構(gou)設計適(shi)用于(yu)1200至1400MHz頻率段(duan)的(de)(de)(de)功率放大器應用領(ling)域。特(te)性包括高增益(yi)和帶螺母固定法蘭盤的(de)(de)(de)熱(re)高性能封裝(zhuang)形式。PTVA120501EA-V1選(xuan)用Wolfspeed領(ling)先的(de)(de)(de)LDMOS工藝技術;PTVA120501EA-V1提供優異的(de)(de)(de)熱(re)穩定性和優異的(de)(de)(de)安全可靠(kao)性。

有特點
網絡帶寬輸進更換
高收獲和高收益
最主要表現的脈寬(kuan)CW性能參(can)數統計指標;1200–1400MHz
50伏
300ms脈寬長期精力
10%pwm占空比(bi)
P1dB時的打印輸出工率54W
高效(xiao)、性價比最高率(lv)55%
增加收益值16dB
智(zhi)能家居(ju)控制化ESD呵護
低傳熱系數
無鉛并合乎RoHS基準相關規定
適用行業領域
1200至(zhi)1400MHz的頻率(lv)段的額(e)定功率(lv)變成器;聲(sheng)納無線(xian)
CREE(科(ke)(ke)銳(rui)(rui))解散于(yu)1987年(nian),CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)提供30幾年(nian)的(de)光(guang)纖(xian)寬(kuan)帶GAP鋼筋取樣料和的(de)創新(xin)設備,CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)就是個系統的(de)設置戰(zhan)略合作火(huo)伴,符(fu)合標準微(wei)波(bo)射(she)頻的(de)意愿(yuan),CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)為(wei)行行業內技(ji)能技(ji)術(shu)型的(de)服(fu)務器(qi)設施具備更(geng)強(qiang)的(de)電機功(gong)率(lv)和更(geng)低的(de)模塊損(sun)失(shi)。CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)由最已經(jing)開始(shi)的(de)GaN基(ji)本的(de)材質(zhi)材料LED新(xin)服(fu)務技(ji)術(shu)工(gong)藝更(geng)優全中(zhong)國,到徽波(bo)微(wei)波(bo)射(she)頻與公分波(bo)IC芯片新(xin)服(fu)務,CREE科(ke)(ke)銳(rui)(rui)于(yu)2017年(nian)轉移出(chu)徽波(bo)頻射(she)廠家Wolfspeed,以光(guang)纖(xian)寬(kuan)帶、大(da)最高功(gong)率(lv)擴大(da)器(qi)類產品(pin)為(wei)標志性。
廣州市立維(wei)創展新材料技(ji)術是CREE的經售(shou)商,得到CREE微波加(jia)熱功率器件強勢(shi)供貨合同橋梁,并長期性的庫存管理期貨,以作中國大整個市場(chang)具體需求。
具體詳情熟知CREE微波射頻射頻微波射頻請點選://www.imyme.cn/brand/35.html
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
PTVA120501EA-V1 | LDMOS | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 50 W | 17 dB | 50% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |