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?CG2H80120D C中波段GaN HEMT 基帶芯片CREE

發布公告周期:2022-11-16 16:53:01     挑選:833

Wolfspeed的CG2H80120D是種氮化鎵(GaN)高電子為了滿足電子時代發展的需求,變更率晶狀體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相較于較,GaN應具可薦越的安全性能;CG2H80120D富含更為重要擊穿電壓場強;更為重要達到飽和狀態電子器材漂移傳輸速度;和更為重要熱導率。與Si和GaAs結晶管好于較,CG2H80120D要具備更多輸出功率容重和更寬的帶寬起步。

結構特征

120W經典(dian)傳(chuan)奇(qi)PSAT

28伏(fu)反控

高電壓擊穿場強

中高溫度遠程操作

高(gao)至(zhi)8GHz的把控

高效化率

2路專(zhuan)業級(ji)無線wifi通信系統

網絡帶寬變小器

蜂窩根本設施設備(bei)建設規(gui)劃

各種測試主設備

ClassA;AB;主耍采用OFDM的線型增加器;wifi頻分多址;邊部;CDMA波形圖

CREE(科銳(rui))確立于1987年(nian),CREE科銳(rui)滿足30十幾(ji)年(nian)的(de)(de)網(wang)絡帶寬(kuan)GAP原料料和自主創新護膚(fu)品(pin),CREE科銳(rui)都是個(ge)完成(cheng)的(de)(de)設計的(de)(de)概(gai)念(nian)加(jia)盟朋(peng)友(you),按照rf射(she)頻(pin)的(de)(de)需求量(liang),CREE科銳(rui)為(wei)行在業內工藝(yi)領先于的(de)(de)機(ji)設施出(chu)示更(geng)強(qiang)的(de)(de)工作功(gong)率和更(geng)低(di)的(de)(de)基(ji)(ji)本功(gong)能耗(hao)率。CREE科銳(rui)由最始于的(de)(de)GaN基(ji)(ji)面材(cai)料LED成(cheng)品(pin)技術(shu)先進全世紀,到微波通(tong)信微波射(she)頻(pin)與(yu)毫(hao)米(mm)波處理芯(xin)片(pian)成(cheng)品(pin),CREE科銳(rui)于2017年(nian)破乳出(chu)微波頻(pin)射(she)頻(pin)射(she)產(chan)品(pin)Wolfspeed,以(yi)寬(kuan)帶網(wang)、大功(gong)效(xiao)變小器成(cheng)品(pin)為(wei)特色(se)文化。

上海市立維(wei)創展科學(xue)是(shi)CREE的供應商商,持(chi)有CREE紅外光器(qi)材(cai)優缺點供貨(huo)(huo)商產品(pin)線,并長時存貨(huo)(huo)期(qi)貨(huo)(huo),以期(qi)國市場(chang)意愿(yuan)。

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CG2H80120D.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H80120D-GP4

GaN on SiC

DC

8 GHz

120 W

>12 dB

65%

28 V

Discrete Bare Die

Die


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