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UMS的CHA5659-QXG是款四六級單面砷化鎵高輸出放小器,可產生1瓦的傳輸功效。CHA5659-QXG是超高直線的,掌握隱藏的的增益控住控住,并結合化耗油率試探器。也包括ESD維護。
CHA5659-QXG是為了(le)更好地點到(dao)點無線網絡微波(bo)通信或K股(gu)票波(bo)段SatCom利用方(fang)向而構(gou)思。
小編(bian)建(jian)議把(ba)CHA5659-QXG與CHA3398-QDG一塊看做能夠(gou)軟件(jian)。該電路設計利用pHEMT制作業加工過程(cheng),柵長0.15μm。CHA5659-QXG以足夠(gou)RoHS要求(qiu)的SMD封(feng)裝供(gong)應。
UMS微波通信為拉(la)丁美(mei)洲豪米波單(dan)片(pian)機芯片(pian)的(de)(de)代表著茶葉品(pin)(pin)牌,在(zai)英國和法設備(bei)有財產研學基(ji)地。UMS在(zai)亞洲規模(mo)內(nei)舒(shu)適(shi)運用(yong)的(de)(de)市場分(fen)配(pei)權難以(yi)方式的(de)(de)國際地位。UMS出具(ju)依(yi)據(ju)ASIC或總目錄貨(huo)品(pin)(pin)的(de)(de)整體價格,重要源于品(pin)(pin)牌實物的(de)(de)III-V技藝(yi),并保證多方位的(de)(de)合約精準服務,使(shi)企業客戶也(ye)可以(yi)同時創建(jian)他的(de)(de)軟件(jian)避免預案。從電(dian)(dian)流電(dian)(dian)到100GHz的(de)(de)UMS文(wen)件(jian)目錄商品(pin)(pin)均對(dui)于GaAs、Gan、SiGe工藝(yi),主要包括高達hg200W的(de)(de)工作電(dian)(dian)壓變成器(qi)、搭(da)配(pei)網(wang)絡(luo)信號功能模(mo)塊、超底(di)噪音分(fen)貝變成器(qi)和完美(mei)的(de)(de)收發(fa)的(de)(de)時候器(qi)設計。UMS物品(pin)(pin)以(yi)塑料模(mo)表現行駛提供了(le),但基(ji)本(ben)上以(yi)多集成電(dian)(dian)路芯片(pian)模(mo)塊圖片(pian)的(de)(de)表現行駛二極管封裝。
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Reference | RF Bandwidth (GHz) | Gain | IP3 | P-1dB OUT | Sat. Output Power | PAE | Bias | Bias | Case | |
min | max | |||||||||
CHA5659-QXG | 40 | 43.5 | 20 | 38 | - | 30 | 15 | 800 | 5 | QFN |