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發布公告(gao)時期:2022-07-14 16:41:47 看:904
CREE的CMPA0060002是種根據氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優質的性能指標;包括更高電壓擊穿;更高飽和電子漂移速率和更高導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT還保證更(geng)高功(gong)率密度和更(geng)寬的帶寬。C波段GaN MMIC功率放大(da)器(qi)(qi)CMPA0060002CREE選用分布式(行(xing)波)放大(da)器(qi)(qi)設計(ji)方法;能(neng)夠在極小的空間(jian)內完成極寬(kuan)的帶寬(kuan)。保證裸片和具有銅(tong)鎢熱管散(san)熱器(qi)(qi)的旋入式封裝形式。
CREE的C頻譜GaN MMIC輸出變小器CMPA0060002要具備2-W;20-MHz-6000-MHz;GaN MMIC瓦數拖動器。

特點
17dB小(xiao)信號燈增加收益值
3W精(jing)品PSAT
額定容量電阻值達到28V
高輸出功率電壓擊穿
較高溫度度進行操作
應用軟件
過寬帶放縮器
在線光釬推動器
檢查機
EMC變成器win7軟啟動
CREE(科銳(rui)(rui))成(cheng)為(wei)于1987年,CREE科銳(rui)(rui)應具(ju)(ju)30十幾年的(de)移動寬帶GAP鋼筋取樣料(liao)和(he)革(ge)新車輛,CREE科銳(rui)(rui)就是一個完全的(de)制定企(qi)業合作摯友,包(bao)含rf射頻(pin)的(de)意(yi)愿(yuan),CREE科銳(rui)(rui)為(wei)行業界技術性先進的(de)機(ji)(ji)器(qi)設(she)施(shi)設(she)備設(she)施(shi)設(she)備具(ju)(ju)備更(geng)(geng)強(qiang)的(de)工(gong)率和(he)更(geng)(geng)低的(de)職能耗(hao)損。CREE科銳(rui)(rui)由最開(kai)啟的(de)GaN基面材料(liao)LED護(hu)膚品(pin)水(shui)平(ping)精(jing)英型全中國,到徽波(bo)rf射頻(pin)與mm波(bo)單片機(ji)(ji)芯片護(hu)膚品(pin),CREE科銳(rui)(rui)于2017年剝離 出徽波(bo)微波(bo)射頻(pin)牌子Wolfspeed,以寬帶網、大馬力增加器(qi)企(qi)業產(chan)品(pin)為(wei)獨特。
珠海市(shi)立維創展(zhan)科技發展(zhan)是(shi)CREE的生產商商,開(kai)發CREE紅外光元器(qi)優(you)劣勢(shi)供(gong)(gong)貨期(qi)公司(si),并(bing)長期(qi)性的庫存積壓現貨平臺,以供(gong)(gong)國市(shi)面 要求(qiu)。
信息了解到CREE微波加熱射頻微波加熱請彈框://www.imyme.cn/brand/35.html
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CMPA0060002F1 | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 2 W | 18 dB | 25% | 28 V | Packaged MMIC | Flange |
CMPA0060002D | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 2 W | 17 dB | 30% | 28 V | MMIC Bare Die | Die |
CMPA0060002F | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 2 W | 17 dB | 23% | 28 V | Packaged MMIC | Flange |
CMPA0060002F-AMP | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 2 W | 17 dB | NA | 28 V | Evaluation Board | Flange |
CMPA0060002F1-AMP | GaN on SiC | DC | 6 GHz | 2 W | 18 dB | NA | 28 V | Evaluation Board | Flange |