領域訊息
發表時(shi)刻:2022-06-15 16:38:22 搜素:1385
氮化鎵(GaN)輸出半導體材料技術應運應運為強化頻射/微波射頻電率變成器功效制作出了可觀奉獻。應用可以減少元電子電器元件的附生電子電器元件,挑選更短的柵極尺寸大小和更好的直流電壓頻繁 ,GaN單晶體管需要滿足了比較高的轉換電機功率、更寬的上行速率和快點的交流電電源線rf射頻錯誤率。
跟(gen)著以GaN布料(liao)材質(zhi)為代表(biao)性的三、代光電器件配件的起源,GaN HEMT可能其寬頻率段隙而受人矚目,高制熱性、高熱擊穿場強和高最高值電子器材轉交傳送速度。源于GaN材質的寬帶功率放大器普遍使用于無線通信網絡、無線網絡、電子對抗、雷達系統等行業領域。
鄭州(zhou)市立維創展科技公司是(shi)Teledyne防(fang)務(wu)電(dian)子(zi)器(qi)件的代理商商,出示Teledyne防(fang)務(wu)電(dian)子(zi)無線(xian)(xian)成品包函LDMOS、GaN、GaAs和InP。Teledyne防(fang)務(wu)電(dian)子(zi)設備產(chan)品的線(xian)(xian)蘋果支(zhi)持寬頻寬、窄帶、脈沖信(xin)號變(bian)小器(qi),概(gai)率1MHz~220GHz,輸出功率mW~10kW,特(te)點平(ping)臺(tai)供(gong)應Teledyne防(fang)務(wu)電(dian)子(zi)無線(xian)(xian)定(ding)貨,歡(huan)迎(ying)大(da)家諮(zi)詢。
詳細情況知道Teledyne防務電子請超鏈接://www.imyme.cn/brand/46.html

Model | Frequency Range MHz | Gain dB Typ. | Noise Figure dB Typ. | P1dB dBm Typ. | P4dB dBm Typ. | P4dB Watts Typ. | IP3/IP2/Pout dBm Typ. | Preamp D.C. Volts Nom | Preamp D.C. mA Max. | D.C. Volt Nom | Amps Q/@P3dB Typ. |
GaN MEDIUM POWER BROADBAND AMPLIFIERS | |||||||||||
AVP598 | 50-700 | 16.5 | 2.5 | 38 | 43.2 | 20.9 | 50/64/40 | N/A | N/A | 28 | 0.85/1.5 |
AVP514 | 50-700 | 40 | 3.7* | 38 | 43.2 | 20.9 | 50/62/40 | 12 | 230 | 28 | 1.2/2.3 |
AVP2515 | 600-2600 | 17 | 4.5 | 35 | 41 | 12.6 | 48/50/37 | N/A | N/A | 28 | 0.85/1.50 |
AVP2524 | 600-2600 | 41 | 4.5 | 35 | 41 | 12.6 | 47/48/37 | 12 | 185 | 28 | 1.25/1.9 |
AVP2030 | 500-2400 | 16 | 3.7 | 39 | 44 | 25.1 | 53/65/40 | N/A | N/A | 28 | 0.85/2.6 |
AVP2034 | 500-2400 | 40 | 3.7 | 39 | 44 | 25.1 | 52/62/40 | 12 | 200 | 28 | 1.2/3.2 |
AVP2050 | 900-2000 | 14 | 4 | 42 | 48 | 63.1 | 55/68/43 | N/A | N/A | 28 | 1.6/5.50 |
GaN PREAMP DRIVER AMPLIFIERS | |||||||||||
A2CP2595 | 20-500 | 24 | 3 | 34 | 36.2 | 4.2 | 45/58/27 | 12 | 185 | 28 | 0.39/0.47 |
500-2500 | 24 | 3 | 32.5 | 34 | 2.5 | 40/56/27 | 12 | 185 | 28 | 0.39/0.47 | |
A2CP2596 | 20-500 | 24 | 4.8 | 36.5 | 37.5 | 5.6 | 8/52/23 | 15 | 335 | 28 | 0.53/0.70 |
500-2500 | 24 | 4.3 | 34.5 | 37.5 | 5.6 | 42/48/23 | 15 | 335 | 28 | 0.53/0.70 | |