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NEL Frequency Controls溫度表彌補尖晶石震蕩器 (TCXO)

發(fa)布(bu)了時光：2022-05-23 16:52:02 閱讀：1402

NEL Frequency Controls具體生孩子制造出選用中型、技術參數改小二極管封裝的低好相位噪聲污染濕度賠償(chang)金尖晶石諧振器 (TCXO)。需要高頻率、完(wan)全表征(zheng)、“同類最佳(jia)”相位(wei)噪聲(sheng)晶(jing)體振蕩器的(de)用戶選擇NEL Frequency Controls頻率調整來需要滿足用戶數的前端開發符合的標準。可根據符合的標準給予較低相位噪音污染溫補上結晶自由振蕩器 (TCXO)使用大力支持。

北(bei)京市(shi)立維創展科(ke)技創新局限公(gong)司(si)的，商(shang)標授(shou)權代里銷售NEL Frequency Controls產品設備(bei)，祝賀與(yu)當我們的售銷工程項目(mu)師聯席會。

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NEL Frequency Controls

體現(xian)了低 G 靈巧度的特低相位躁音

包裝盒和系統(tong)明(ming)稱

的特征(zheng)

8 Pad | 17 x 14 x 6 mm
AN-XA7XUXXX-X

10.0 - 125.0 MHZ
低好相位背景噪(zao)聲
低 G 快(kuai)速度 (0.2 ppb/G)
低額定功率
COTS/Dual use

Sine
CMOS
3.3V
5V

兼有(you)低 G 遲鈍度的鎖相快速清(qing)理(li) ULPN
打包和系(xi)各稱	的特點
SMD 41 x 30 x 5.6 mm l 8 pads T-S42-XXYY-X	低 G 遲鈍度(du) (0.5 ppb/G) 低(di)相位燥聲像于 OCXO 緊奏(zou)型(xing)轎車(che)型(xing) SMD 裝(zhuang)封不能 REF IN 速(su)率跳轉預(yu)置值低顯卡功耗獨立的(de)于環境體溫且不同加(jia)溫怏速(su)就緒 Sine CMOS 3.3v 5v
41 x 30 x 5.6 mm l 8 Pad T-S42-XXTT-X	輸入(ru)：10.0MHz 打印輸(shu)出：80.0 - 125.0MHz 低相位噪音(yin)分貝相仿于 OCXO 低 G 快(kuai)速度(du) (0.2 ppb/G) 低(di)功率(lv) COTS/Dual use Sine CMOS 3.3V 5V
“Europack” \| 8 pin \| 36 x 27 mm M-E80-X-YY-XX	100 MHz 輸(shu)出精度(du) 低相位(wei)低頻噪音十分(fen)緊密的裝(zhuang)封

低(di)好相位躁音(yin)表面上貼裝
外包(bao)裝和(he)系(xi)英文名(ming)稱(cheng)	聲音頻率(lv)比率(lv)、性、效(xiao)果的類型(xing)、Vcc
5 pin \| 36 x 27 mm OE-XBFXXX	可(ke)以達(da)到 2.0 GHz 超寬(kuan)頻區間優異的攝氏度平衡性(xing) Sine 3.3V 5V
7Pad\| 25 x 22 mm OR-XBFXX	30.0 MHz - 2.0 GHz 超寬頻條件嚴(yan)格(ge)的穩定量分析性緊湊型轎(jiao)車的長寬高 CMOS PECL/LVPECL LVDS Sine 3.3V 5V
7Pad\| 25 x 22 mm OK-XA3XXXX	多(duo)達(da) 1.0 GHz 過高(gao)頻范圍內出(chu)眾的(de)體溫保(bao)持穩(wen)定量(liang)分析(xi) CMOS PECL/LVPECL LVDS Sine 3.3V 5V
7Pad\| 25 x 22 mm OK-XBFXXXX	更是高達 2.0 GHz 非常高頻范(fan)圍之內出眾(zhong)的的氣溫增強性 CMOS PECL/LVPECL LVDS Sine波 3.3V 5V
8 Pad \| 17 x 14 mm AE-XA4XXX	700.0 MHz - 2.0 GHz 低(di)噪音模(mo)擬機(ji)諧波倍頻高(gao)水準頻 PECL/LVPECL Sine 2.5V 3.3V 5V
8 Pad \| 17 x 14 mm AN-XA7XXXX	10.0 – 250.0 MHz 相當高(gao)的幀率中型 SMD 芯(xin)片封裝非常(chang)嚴格的頻帶寬度固(gu)定性處理 Sine 3.3V 5V
8 Pad \| 17 x 14 x 6 mm AN-XC2XXXX	10.0 – 200.0 MHz 有著很棒氣溫不承載能(neng)力處理性的(de)高頻 CMOS Stratum3 常用 3.3V 5V
8 Pad \| 17 x 14 mm AN-XA32CXX	10.0 - 200.0 MHz 優異(yi)的的溫差穩定量分(fen)析性低(di)頻(pin) CMOS 3.3V 5V

越來越低(di)相位躁聲表面層(ceng)貼(tie)裝

包(bao)裝(zhuang)設計和產品名(ming)號(hao)

速度區(qu)域、
特質、輸出型(xing)、Vcc

6Pad| 14 x 9 mm
AB-XC3XXX

12.0 - 125.0 MHz

低頻
非常低的相位躁聲和(he)跳動

CMOS/LVCMOS

1.8V
2.5V
3.3V
5V

很低(di)相位嘈音薄型表皮貼裝
彩盒和(he)類(lei)型(xing)名字	頻點區間、功能、的輸出類行、Vcc
4Pad\| 7.5 x 5.2 mm S9-XB3XXX	12.8 - 120.0 MHz 比較低的相位環境噪聲(sheng) HCMOS 2.5V 3.3V
6Pad\| 7.5 x 5.2 mm AA-XADXXX	10 - 120.0 MHz 十分的低的相位(wei)噪音污染(ran) LVDS 2.5V 3.3V
6Pad\| 7.5 x 5.2 mm AA-XAEXXX-X	12.8 - 120.0 MHz 如(ru)此低的相(xiang)位嘈音 LVDS 2.5V 3.3V

外面貼裝

彩盒(he)和款型種類(lei)

次數條件、
的特點、所(suo)在(zai)類型、、Vcc

6 J Leads | 14 x 9 mm
PJ-0A20X

10.0 - 52.0 MHz

CMOS

3.3V
5V

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低(di)好相位躁音(yin)表面上貼裝
外包(bao)裝和(he)系(xi)英文名(ming)稱(cheng)	聲音頻率(lv)比率(lv)、性、效(xiao)果的類型(xing)、Vcc
5 pin \| 36 x 27 mm OE-XBFXXX	可(ke)以達(da)到 2.0 GHz 超寬(kuan)頻區間優異的攝氏度平衡性(xing) Sine 3.3V 5V
7Pad\| 25 x 22 mm OR-XBFXX	30.0 MHz - 2.0 GHz 超寬頻條件嚴(yan)格(ge)的穩定量分析性緊湊型轎(jiao)車的長寬高 CMOS PECL/LVPECL LVDS Sine 3.3V 5V
7Pad\| 25 x 22 mm OK-XA3XXXX	多(duo)達(da) 1.0 GHz 過高(gao)頻范圍內出(chu)眾的(de)體溫保(bao)持穩(wen)定量(liang)分析(xi) CMOS PECL/LVPECL LVDS Sine 3.3V 5V
7Pad\| 25 x 22 mm OK-XBFXXXX	更是高達 2.0 GHz 非常高頻范(fan)圍之內出眾(zhong)的的氣溫增強性 CMOS PECL/LVPECL LVDS Sine波 3.3V 5V
8 Pad \| 17 x 14 mm AE-XA4XXX	700.0 MHz - 2.0 GHz 低(di)噪音模(mo)擬機(ji)諧波倍頻高(gao)水準頻 PECL/LVPECL Sine 2.5V 3.3V 5V
8 Pad \| 17 x 14 mm AN-XA7XXXX	10.0 – 250.0 MHz 相當高(gao)的幀率中型 SMD 芯(xin)片封裝非常(chang)嚴格的頻帶寬度固(gu)定性處理 Sine 3.3V 5V
8 Pad \| 17 x 14 x 6 mm AN-XC2XXXX	10.0 – 200.0 MHz 有著很棒氣溫不承載能(neng)力處理性的(de)高頻 CMOS Stratum3 常用 3.3V 5V
8 Pad \| 17 x 14 mm AN-XA32CXX	10.0 - 200.0 MHz 優異(yi)的的溫差穩定量分(fen)析性低(di)頻(pin) CMOS 3.3V 5V