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GaN材料是第(di)三代半導體(ti)(ti)(ti)(ti)的(de)典型代表，具備寬禁(jin)帶、高(gao)(gao)擊穿場強、高(gao)(gao)熱(re)導率(lv)和(he)高(gao)(gao)峰值電(dian)子(zi)漂移速(su)度等優(you)質性(xing)能。因此，GaN材料可(ke)以(yi)很(hen)好(hao)地滿足耐高(gao)(gao)溫(wen)、高(gao)(gao)頻率(lv)和(he)功(gong)率(lv)大的(de)工作要求，GaN功(gong)率(lv)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)(ti)管一(yi)直(zhi)是L和(he)S波段雷達(da)系統中線性(xing)和(he)壓縮功(gong)率(lv)放大器的(de)有源元件。Gan功(gong)率(lv)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)(ti)(ti)管可(ke)用(yong)作航(hang)空電(dian)子(zi)、商業服務(wu)、工業生產、醫(yi)療設備和(he)國防軍(jun)事用(yong)途的(de)電(dian)路(lu)和(he)系統中的(de)各種應用(yong)。它(ta)們都通過寬帶gap GaN半導(dao)體(ti)材料的(de)作用，在小封裝中產生高功(gong)率密度和高輸出功(gong)率電平的(de)RF/微波晶體(ti)管

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