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與硅相比較，Cypress 氮化鎵（GaN ）結(jie)晶體管提供其本質的強(qiang)勢。尤其是是與硅MOSFET相比之(zhi)下較，高(gao)臨(lin)介電磁場使得(de)GaN -HEMT具備優(you)良的(de)gif動態(tai)導通(tong)阻值(zhi)和較(jiao)小的(de)電阻，非常(chang)好于髙(gao)速旋鈕(niu)應(ying)用方向方向。接著，Cypress 氮化鎵納米線管就能夠在降低了過電壓時間的原因下正常正常運作，以增加工作的的效率并結束唯一被動冷卻后。在高打開的頻率下正常正常運作就能夠減低無源功率器件的水比熱容，為了發展GaN  HEMT的(de)健康準確(que)性和總公率導熱系數。

Cypress GaN 工(gong)作(zuo)功(gong)率尖(jian)晶石管最(zui)終要的結構特征(zheng)是其(qi)逆向復原性能指(zhi)標。隨著英飛凌的Cool GaN ?尖晶石(shi)管無許(xu)多光(guang)電技術(shu)流和體穩壓管，然而這些食品就沒有(you)辦(ban)法顯現逆向治(zhi)愈。如此，不錯選取先祖極PFC等硬轉換(huan)開關拓補來做完更高些的高效率(lv)，舉(ju)例子在數據統(tong)計基(ji)地和服務器電中(zhong)，最后浪(lang)費(fei)能源開發并降低了自主經(jing)營人工成本。

英飛凌的Cool GaN ?是工作效率(lv)率(lv)的氮化鎵納米線管(guan)水平app，可在高至600V的電流(liu)電壓的范圍內實施(shi)耗油率(lv)改變。難能可貴在半導體技術(shu)該行業(ye)市場的豐富(fu)多樣生產經驗，英(ying)飛凌的GaN 技術(shu)性用途經過端到(dao)端大經營(ying)規模生(sheng)產加工使e策略理念成熟完(wan)善(shan)。超(chao)過性的食品質效(xiao)果量的保障了最底原則化，并(bing)提高了餐飲(yin)行業(ye)貿易市場(chang)上(shang)很(hen)多的GaN HEMT中最能信(xin)、特性(xing)較好的克服設計方(fang)案。

Cypress 使(shi)用(yong)Cool GaN ?旋轉(zhuan)開(kai)關(guan)(guan)供電(dian)(dian)控制電(dian)(dian)路遵循更(geng)高(gao)些的電(dian)(dian)力能源(yuan)高(gao)效(xiao)率(lv)和效(xiao)率(lv)密度(du)計算公式(shi)，這(zhe)里是首先進的硅元器件(jian)封裝不可(ke)能成功完(wan)成的。在200-250khz以下的高(gao)頻率(lv)運營中，旋轉(zhuan)開(kai)關(guan)(guan)網(wang)絡速度(du)是導(dao)致資源(yuan)傳遞基(ji)本模式(shi)的關(guan)(guan)鍵點(dian)。英(ying)飛凌(ling)Cool GaN ?超快的旋(xuan)鈕(niu)訪問速度(du)會(hui)來完成微妙(miao)的超負荷(he)時間(jian)段。其(qi)測算在(zai)使用(yong)時限超出(chu)范圍15年，設施設備出(chu)現使用(yong)率(lv)高于1，消(xiao)費者需(xu)要誠懇其(qi)安(an)全管(guan)理(li)牢靠性和物(wu)口(kou)感量。

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近年來，立維創展(zhan)持有(you)Cypress品牌標(biao)志，外盤庫存盤點

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