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GaN高網(wang)上(shang)移遷(qian)率(lv)(lv)納米線管(guan)(HEMT)完(wan)整為(wei)5G較大型(xing)移動(dong)基站公(gong)率(lv)(lv)拖動(dong)器的(de)趨(qu)勢侯選(xuan)人工藝，主要是因(yin)為(wei)其一直(zhi)有的(de)高相電(dian)壓擊穿相電(dian)壓、高公(gong)率(lv)(lv)密(mi)度單(dan)位、大速率(lv)(lv)和使用率(lv)(lv)高率(lv)(lv)，不(bu)諫(jian)為(wei)5 G移(yi)動通(tong)信(xin)基站優選半導體(ti)設(she)備系(xi)統。

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