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AMCOM的GaN MMIC 拖動工具有哪類優勢?

上架耗時:2020-07-22 14:22:50     瀏覽網頁:1774

AMCOM國外半導體設備公司的中最包括世界上里科技領先的紅外光設計的概念大公司,AMCOM的GaN寬禁帶半導體設備還具有溫度高導率、高損壞場強、高飽和狀態光自動化漂移傳輸速率和高鍵合能等有什么好處,也可以做到如今光自動化技藝對溫度高、高額定功率、髙壓、高頻、抗反射等惡略基本原則的新符合要求。從市政工程偏角來說,GaN都具有的4個勝機:

· 寬禁帶半導體芯片具有著十隹(zhui)的(de)dV/dt修(xiu)改(gai)使用性能,這預兆著(zhu)面板(ban)開關(guan)按鈕(niu)能量消耗不大。這致使高面板(ban)開關(guan)按鈕(niu)速率(GaN1 MHz大于)作為可能(neng),隱患促使變小(xiao)磁(ci)體(ti)相對密度(du),直(zhi)接改善功效相對密度(du)。

· 電感值、規格和信噪比(bi)能減少(shao)70%及(ji)以上,同時還能壓減電容(rong)(電容(rong)器(qi))需求(qiu)量,使很終互(hu)轉(zhuan)器(qi)的尺(chi)寸(cun)大小和信噪(zao)比僅很大于時代(dai)互(hu)轉(zhuan)器(qi)的五分中之一。

· 無源元器件(jian)和機械設備零件(jian)(主要包(bao)括熱(re)量散發器)的(de)需求量可(ke)節減大致40%,升值潛力可以預見部分則表現(xian)在掌(zhang)控(kong)智(zhi)能電子IC上。

· 寬禁帶半(ban)導體(ti)材料對高結溫兼備超(chao)低的承受性,各種(zhong)承受性有助于(yu)、升降輸出(chu)功率體(ti)積,大幅(fu)度降低水(shui)冷問題。

AMCOM.jpg

伴跟著(zhu)AMCOMGaN制造加工(gong)在(zai)反復進展,在(zai)GaN-on-Si表(biao)面片(pian)上的生產(chan)的GaN元器存在(zai)比(bi)較低的老本,比(bi)在(zai)SiC晶片上分(fen)娩所有的物(wu)品都更多方(fang)便。考慮(lv)到那些厚(hou)因,GaN尖晶石管應該(gai)會(hui)已(yi)成為2020時代(dai)后續升壓(ya)器中的(de)(de)常選,遠遠高于較太貴(gui)的(de)(de)SiC MOSFET

廣州 市立維創展技術是AMCOM電機功(gong)率放縮器的一級(ji)代理銷(xiao)售量,常見(jian)能(neng)提供(gong)AMCOM的功效(xiao)放縮器(qi),rf射頻晶胞管(guan)、MMIC熱效(xiao)率拖動器(qi)、結合拖動器(qi)控(kong)制(zhi)器(qi)、帶寬拖動器(qi)、高熱效(xiao)率拖動器(qi)控(kong)制(zhi)器(qi)、帶RFDC接觸器(qi)的(de)高電(dian)工(gong)作(zuo)電(dian)壓(ya)拖動(dong)器(qi)模快和(he)低(di)噪音(yin)源拖動(dong)器(qi),電(dian)工(gong)作(zuo)電(dian)壓(ya)拖動(dong)器(qi),面板開關,衰減(jian)器(qi),移相器(qi)并且上/底下變頻器的全屋(wu)定(ding)制等,原裝到口進囗的,水(shui)平能保證,收費優缺點(dian),熱烈歡迎咨詢了解。

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3d模型

最(zui)低(di)頻率(GHz)

最大頻率(GHz)

增益(dB)

輸出功(gong)率(dBm)

Eff(%)

AM003042WN-XX-R

0.05

3

23

42

33

Flange / SMT

AM003042WN-00-R

0.05

3

24

42

35

Bare Die

AM206041WN-SN-R

1.8

6.5

30

41

23

Flange

AM206041WN-00-R

1.8

6.5

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42

27

Bare Die

AM408041WN-SN-R

3.75

8.25

31

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Flange

AM408041WN-00-R

3.75

8.25

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Bare Die

AM00010037WN-SN-R

DC

10

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Flange

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Bare Die

AM08012041WN-SN-R

7.5

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20

Flange

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7.5

12

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20

Bare Die

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Flange

AM07512041WN-00-R

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Bare Die


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