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X3C19F1-03S低剖面,高安全性能的3dB結合耦合電路器原裝進口存儲

正式(shi)發布精力:2020-04-22 09:58:29     閱覽:1866

X3C19F1-03S有的是個低剖面,高質量方面的3dB相混耦合電路器在是一個新的適于適用,制做和諧的外層施工包。它專為AMPS、GSM、WCDMA和LTE頻段技術應用而設置。X3C19F1-03S是專為穩定性電功率和低環境噪聲放縮器、走勢安排和相關需用低加上耗率和緊幅相穩定性的軟件而裝修設計的。它就能夠應用在25瓦低于的大額定功率應該用。部件歷經從緊的技術鑒定測試方法,并安全使用熱增大標準值(CTE)與較為常見基材(如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺)兼容的用料創造。采用了完全符合6/6 RoHS標準的浸錫清工院藝生產。

X3C19F1-03S低剖面

X3C19F1-03S特點:

1700-2300兆(zhao)赫(he)

AMPS、GSM、WCDMA和(he)LTE

高功效

十分(fen)低的損失

牢固震(zhen)幅穩定(ding)平衡

高防曬(shai)隔(ge)離(li)霜(shuang)度

產生很友好型

磁帶和卷(juan)盤

無鉛

X3C19F1-03S更(geng)重(zhong)要規(gui)格

頻繁(GHZ):1.7 - 2.3

電功率(W):25

回波自然損耗(hao)(dB):25

插入(ru)圖損耗率(dB):0.20

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