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說明
AMCOM的AM005WN-BI-R也是種個分立的GaN/SiC HEMT，總門寬為0.5分米。它也是種個瓷質二極管裝封，比較高任務12千兆赫。Bi類型運用層次性設計制作的瓷質二極管裝封，擁有彎度（Bi-G）或直（Bi）引線，運用融入式進行安裝手段。包最下面的法蘭片與此同時當做交流電的接地裝置、微波射頻的接地裝置和熱管道。本局部符合國家RoHS。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM005WN-BI-G-R AM005WN-BI-R	1周	100

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特征
高達12GHz的高頻操作
增益=15db，p5db=33.5dbm，pae=51%，漏極=56%@3GHz
表面安裝
有用排熱的最底層

應用
高動態接收器
移動無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
試驗儀器
軍事
干預機

示意圖