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披露時期:2019-01-23 15:46:38 挑選:1790
CREE的CMPA0060025F一種研究背景(jing)氮化(hua)鎵(jia)(GaN)HEMT的單面微波加熱ibms用電(dian)(dian)線路(MMIC)。與硅(gui)或砷(shen)化(hua)鎵(jia)相對(dui)比,GaN都具(ju)有(you)出眾的特性,還(huan)包括(kuo)更(geng)強的損壞電(dian)(dian)壓降,更(geng)強的飽和(he)點(dian)光學漂移快速和(he)更(geng)強的熱傳導率。與Si和(he)GaAs晶胞(bao)管相對(dui)比,GaN HEMT還(huan)出具(ju)挺大的電(dian)(dian)機功率容重和(he)更(geng)寬(kuan)的資源帶寬(kuan)。該(gai)MMIC可(ke)在小(xiao)的尺寸,緊固式(shi)封裝形式(shi)中保證極寬(kuan)的上行寬(kuan)帶。
CMPA0060025F參數
最高值(zhi)輸出電(dian)壓(ya)馬(ma)力
25W
采用
常用寬(kuan)帶網絡(luo),50 V
典型案(an)例馬力(PSAT)
25瓦
事業(ye)電壓電流
50伏
熱(re)擊穿相電壓
高
速率
DC - 6.0 GHz
包(bao)裝(zhuang)機類形
輪(lun)緣
小信息增益(yi)值
17dB
尺寸大小(xiao)
0.5 x 0.54英寸
CMPA0060025F實物圖
