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發布公告(gao)耗時:2019-01-23 15:05:08 閱讀:2271
CGHV1F025S是(shi)一款無(wu)與倫(lun)比的(de)(de)氮化鎵(GaN)高電子遷(qian)移率(lv)晶體管(guan)(HEMT),專為高效(xiao)率(lv),高增(zeng)益和寬帶寬功能而(er)設(she)計。該器(qi)件可用(yong)(yong)于L,S,C,X和Ku波(bo)段放(fang)大(da)器(qi)應用(yong)(yong)。數據手冊(ce)規格基于X-Band(8.9 - 9.6-GHz)放(fang)大(da)器(qi)。CGHV1F025S采用(yong)(yong)40伏軌道電路,采用(yong)(yong)3 mm x 4 mm表面貼(tie)裝雙扁平無(wu)引線(DFN)封裝。在(zai)功耗降(jiang)低(di)的(de)(de)情況下,晶體管(guan)可以在(zai)低(di)于40V的(de)(de)電壓(ya)下工作至低(di)至20V的(de)(de)VDD,從而(er)保持高增(zeng)益和高效(xiao)率(lv)。
CGHV1F025S基本參數| 峰值輸出功率 | 25W | |
|---|---|---|
| 應用 | 通用寬帶,40 V | |
| 典型功率(PSAT) | 25瓦 | |
| 工作電壓 | 40 V | |
| 頻率 | DC - 15.0 GHz | |
| 包裝類型 | 表面貼裝 | |
| 獲得 | 11 dB @ 9.4 GHz | |
