CMD180C3也是款代用的雙發展混頻器,用于無鉛表明貼裝封裝,都可以于20至32GHz的升降轉變操作。致使簡化了balun結構設計,CMD180C3對微波射頻和中頻接口都兼有很高的分隔度,而且可在低至+9dBm的低驅動包電平下事業。CMD180C3還可以很非常容易地設備為帶 外部混頻器和輸出合理安排器的圖案仰制混頻器或單側帶調制解調器。
優點
低轉變成消耗的資金
高隔離度
寬中頻率段寬
普通攻擊雙靜態平衡拓撲結構
無鉛RoHs兼容3x3 mm SMT芯片封裝
微波射頻元零件封裝
速度LO / RF(GHz):20 - 32
幾率IF(GHz):DC - 9
增益值(dB):-6.5
LO-RF防護(dB):40
LO-IF丟開(dB):48
輸人IP3(dBm):17
包:3x3 mm QFN
CMD180C3也是款代用的雙發展混頻器,用于無鉛表明貼裝封裝,都可以于20至32GHz的升降轉變操作。致使簡化了balun結構設計,CMD180C3對微波射頻和中頻接口都兼有很高的分隔度,而且可在低至+9dBm的低驅動包電平下事業。CMD180C3還可以很非常容易地設備為帶 外部混頻器和輸出合理安排器的圖案仰制混頻器或單側帶調制解調器。
優點
低轉變成消耗的資金
高隔離度
寬中頻率段寬
普通攻擊雙靜態平衡拓撲結構
無鉛RoHs兼容3x3 mm SMT芯片封裝