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PIN Diodes射頻二極管SemiGen

超快速開關

梁式引線 PIN 二極管SemiGen

• 切換速度快

• 低電感/電阻器

• 加固的設計

備貨期限 2-4周

限幅二極管SemiGen

• 低電容和電阻

• 容易連接

• 低損失

• 快捷開起時長

備貨期 2-4周

階躍恢復二極管SemiGen

• Tightend 電容范圍的廣泛選擇

• 低切換事件
• 高效、性價比最高率
• 廣泛用于波導、同軸和帶狀線運用

  
  

點接觸二極管SemiGen

• 對于匹配的 Fwd 對，在部件號后使用 suf x M。

• 相對 倒置裝備，請選用 suf x R。
• 相對于配備的 Fwd 和 Rev，安全使用 suf x MR.

肖特基二極管SemiGen

• 多結芯片

• 低 1/F 噪音
• 個人心得體會電解電容
• 應用在混頻器、判斷器、持續增長器和配制器。

肖特基勢壘橋四邊形SemiGen

• 性能穩定

• 加聚物構成
• 適應的組合件功效

• 應用在萬代高達 40 GHz 的倍頻器、解調器和雙失衡混頻器的設計構思。

定貨頻次 2-4周

肖特基勢壘四邊形SemiGen

• 性能穩定

• 的成分
• 一致的電力電氣功效
• 用做倍頻器、調制解調器和雙失衡混頻器的裝修設計。

衰減器SemiGen

• 出色的平坦度和衰減精度

• 睿智的效率清理技能
• 鋁合金化
• 這類鋁離子束蝕刻薄膜衰減器是密切應運的自然來解決實施方案，具有微波加熱無線數字電、軍事學科子裝置、光纖線、學科醫療儀器和可高達 28 GHz 的感測器器應運。
• 訂購階段 2-4周

固定衰減器焊盤SemiGen

• 中高功率處理 1W 至 5W CW

• 從 DC 到 20 GHz 的AA回應
• 回波耗用 >18 dB DC 至 14 GHz
• 回波損耗率 >16 dB 15 GHz 至 20 GHz
• 溫濕度穩固 TCR <100 PPM
• 大部分數定制上的存儲芯片圖片尺寸 .030" X .030"

  定購階段 2-4周
  

MIS 電容器SemiGen

• 非常高的 Q

• 環境溫度因子
• 低耗散因素
• 長期性不穩性
• 一些正面和表面金觸頭
• 薄至 3 mil 以受限制電感
• 備貨時間間隔 2-4周

二進制電容器SemiGen

• 非常高的 Q

• 低溫制冷的效果因子
• 低耗散質因數
• 經常性安穩性
• 前面和后邊金觸點開關
• 薄至 3 mil 以被限電感
• 定貨定期 2-4周

梁式引線電容器SemiGen

• 金粘合表面（頂部和底部）

• 熱壓枝術
• 改性環氧聚酯樹脂聚酯樹脂能力
• 低頻軟件的完美挑選，還可以選擇到區域級出場資格。

• 訂貨周期 2-4周
  

朗格耦合器SemiGen

• 小至 10 微米的線條和空間

• +/- 1 廊坊可耐電器一区二区三区在线播放-欧美一区二区在线-亚洲一区二区三区在线-欧美一二区的公差
• 朗格合體器諸多當作微波射頻變成器、混頻器和幅度調制器中的pe膜電率整合器和分銷器。

二極管底座SemiGen

• 底座頂部表面邊緣上的金屬焊盤有助于滿足二極管邊緣安裝要求，邊緣間隙幾何形狀低至 5 微米。

• 在 Ti/Pt/Au 角處焊盤上的 Au/Sn 選澤性堆積祛除了對中型焊料預設件的操作要，并減少了重要的柔性板角處區域內潛在的焊料卷曲的的風險。
• 定購時期 2-4周

濾波器SemiGen

• 特征尺寸小至 10 微米

• 三極管范圍內的高不對性

• 備貨過渡期 2-4周

電感線圈SemiGen

• 無需“質押”線圈

• 電感上的鈍化防護鍍層
• 規格平均度
• 品面線下實體組成次級線圈
• 非常符合 RoHS 規則

電阻器SemiGen

• 芯片尺寸小于 0.020" x 0.020" 的單值或網絡應用

• 薄層電阻器率從 25 到 200 歐姆每平方米
• 長期的安穩性在 125°C 的空氣的中 1000 小的時候內的值發展大于 0.5%

隔離電容器SemiGen

• 串聯諧振：(C < 1pf) > 30 GHz (C = 1 到 2 pf) > 22 GHz

• 電流值擊穿電流值：> 100

輸電線路SemiGen

• 開箱即可使用

• 各個全部資料例如 > 3 個 AU 趨膚深入——確認衰減和電阻值年紀
• 可使用于 Au/Sn 和 Au/Ge 依附
• 板材鏡面拋光 99.6% 氧化的鋁
• 微帶傳導線的板厚有 5 mil、10 mil、15 mil、20 mil 和 25 mil，公差為 +/- 1 mil。