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用具有著獨有柵極偏置保持的串行晶胞管的GaN HEMT放縮器的線性網絡增進

更新時期：2018-05-04 13:53:07     訪問 ：9576

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：利用更具獨有柵極偏置掌握的串聯納米線管的GaN HEMT調小器的平滑增強學習。 GaN HEMT具備著較高的輸出電壓電流最大瓦數黏度和較寬的資源帶寬速率。但有，GaN HEMT的非非波形舉例地比GaAs集成電路芯片的非非波形更差。這篇文章提供 一種簡單的的辦法來加快GaN HEMT的非非波形度。所提供 的的辦法是將集成電路芯片截成與單獨把握的柵極偏置電流電容串聯的各個子標段，再將最大瓦數合并成子標段輸出電壓電流。扮演者拖動器..
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