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文獻綜述-GaN元功率器件封裝具備與GaAs元功率器件封裝相對的低頻噪音彈性數值，此外就能承受壓力越來越高的讀取控制器器。選文推薦了2～4GHz(S光波)Pout～37dBm的GaN低低頻噪音調大器(LNA)、1．8～3．5dB低頻噪音彈性數值(NF)和48～54dBm輸出關聯性三階截距點(OIP3)的方案。能夠將柵極外場為2.5mm的輸出級拆分1.25mm的二個個部分并推廣其偏置，可能增進平滑使用性能指標。偏置二個FET的與眾不同影響IMD1分量的相位排除和OIP3使用性能指標的增進。實驗但是表達，在AB類柵極偏置和深AB類柵極偏置時，OIP3可增進9.5dBm。平滑度FOM（OIP3/PDC）也擁有促進，在較高的噘嘴時達到14。氮化鎵（GaN），S光波，LNA，平滑化，OIP3。

一、引言
GaN HEMT技術正在成為雷達、電子對抗和無線通信應用的首選技術。與傳統技術（GaAs、CMOS、SiGe）相比，GaN器件在微波頻率下具有高的輸出阻抗，因此可以提供非常高的輸出功率、高擊穿和較寬的工作帶寬。GaN器件具有與GaAs類似的噪聲系數，并且能夠承受高輸入功率電平。這消除了常規接收機中使用的限幅器電路的需要。同時，LNA線性度在惡劣環境下對微波接收機是一個挑戰[1]-[2]。本文提出了一種具有高OIP3的線性GaN-LNA。基本的方法是將晶體管分成多個較小的并行柵極，并分別對它們進行偏置。通過獨立地改變每個晶體管的偏壓，可以提高線性度。在以前的工作中，將該技術應用于GaN PA，在中等和高輸出功率電平下觀察到了改進[3]。在本文中，我們將此技術應用于GaN LNA，并看到在較低和更高輸出功率電平的改進。據作者所知，這是首次使用該技術改進GaN LNA的線性度。

二。線性化方法
通過在感興趣的頻率附近向放大器輸入施加雙音信號，模擬電路的線性度。為了獲得具有較好OIP3的電路，其思想是通過相位抵消來降低三階互調產物的功率電平。

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