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描述
AMCOM的AM030MH4-BI-R是雙編表GaAs HIFET的是一這局部。HIFET是這局部搭配的專業設施設備增加的高電流電壓，高最大電功率，高曲線度和聯通寬帶用。該集成電路芯片的總集成電路芯片外部為12mm。AM030MH4-Bi-R是為高最大電功率徽波用而設計制作的，做工作幀率更是高達3GHz。BI編表運用本身特別設計制作的工業陶瓷裝封，極具打彎或直線條的引線和凸緣進行安裝方案。裝封底邊的法蘭片一起充當電流一定等電位連接、頻射一定等電位連接和熱路。這是HiFET是適合RoHS的標準的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	511AM030MH4-BI-R RLB	1周	50

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特征
28伏
寬帶部分匹配：直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益：g= 19dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝35dBm @ 2.0GHz
高線性度：IP3＝50 dBm @ 2.0GHz
使用于有效果排熱的瓷磚封口

應用
寬帶應用
高電壓20～28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信