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?3.代650 V裸片SiC MOSFET

發布了時候:2025-01-03 16:57:39     瀏覽訪問:630

行業內人士超世界級導通電阻器和電源開關不足,就能夠推動較好的性能和電率高密度數據。

Wolfspeed選擇第3代650 V SiC MOSFET增高了其無定形碳硅(SiC)技術設備上的為主身份。在更著力的能量程序中擁有體重更小、含量更輕、極高效的能量變為。650 V SiC MOSFET是性能指標好工業化電源開關、安全web服務/中國移動無線網絡電源模塊、新環保新能源直流電火車動車(EV)電池充電平衡裝置、儲電機、應及外接電源(UPS)和鋰電池方法軟件等性能的佳選用。

功能

溫度低室內環境的低導通熱敏電阻

低附生電阻

滿足不高單向可以恢復的優質整流二極管

維持高溫度遠程控制(Tj=175°C)

MOSFET.png

競爭優勢

順利通過調整旋轉開關和高速傳輸耗用增進機效應

實現了高面板開關規律控住

的提升控制系統級工作電壓密度計算公式叁數

減少裝置設備外形尺寸;載重量;和待冷卻規定要求

具代表性操作

制造業電壓

服務項目器/中國聯通電腦網絡

新電力能源蓄電樁裝制

儲能技術產品(ESS)

應急管理電源開關(UPS)

電池組服務管理裝置(BMS)

CREE科銳于2017年分離出微波加熱頻射企業Wolfspeed,以聯通寬帶、大電功率圖像電壓放大器廠品為獨特的。

蘇州市立維創展科學是CREE的代理商商,享用CREE紅外光集成電路芯片優點供貨合同公司,信用分要確保原裝進口官方旗艦店。

*這部分類型需申批國外出口處經營許可證。淘寶手機端了解非常多款式,感謝了解和咨詢立維創展!


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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