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ADRF5132是(shi)款高(gao)(gao)電功率(lv)、全淺反(fan)射、0.7 GHz至(zhi)5.0 GHz、硅、單極、雙擲（SPDT）反(fan)射面控制開關(guan)，用到無接地線表(biao)皮貼裝(zhuang)封裝(zhuang)組織形式(shi)。該互轉機尤其是(shi)好高(gao)(gao)電率(lv)和(he)蜂窩(wo)狀(zhuang)基礎理(li)論配套(tao)設施建筑利用，如長時(shi)發展(zhan)歷程（LTE）基站天(tian)線機器設備。ADRF5132遵循35 dBm LTE的高(gao)(gao)工作電壓辦(ban)理(li)利用率(lv)（在105°C下的對(dui)數正態分(fen)布典型性值），2.7 GHz下0.6 dB的低(di)插入表(biao)格耗率(lv)，65 dBm的插入三(san)階截距(ju)（先(xian)進典型值）和(he)42.5 dBm的0.1 dB壓縮(suo)的（P0.1dB）。

ADRF5132板(ban)上24v電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)電(dian)(dian)(dian)(dian)路在5V的單一化(hua)的正(zheng)電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)開關線電(dian)(dian)(dian)(dian)壓和(he)1.1mA的經典電(dian)(dian)(dian)(dian)原(yuan)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓電(dian)(dian)(dian)(dian)流下工作，使(shi)ADRF5132成(cheng)為了應用場景pin肖特基二(er)極管的按鈕的好化(hua)取代品。

ADRF5132適用(yong)提供RoHS標準化的緊湊型16管腳3 mm×3 mmLFCSP打包(bao)封裝的形式(shi)。

表現

反射強度性，50?構思

低讀取損耗量：2.7 GHz時具代(dai)表性為0.6 dB

TCASE=105°C時的高工率(lv)防止

一段時(shi)間(jian)段（>10年啟用）

最(zui)大的電(dian)率(lv)：43 dBm

CW瓦(wa)數：38 dBm

LTE頂值電功率（8 dB標桿(gan)數）：35 dBm

單(dan)行為（<10秒操作方法）

LTE閥值效(xiao)率(lv)（8 dB標準化桿數）：41 dBm

高直線度

P0.1dB:42.5 dBm典型性值

IP3:2.0 GHz至4.0 GHz時的(de)主要表現臨界(jie)值65 dBm

ESD額定值

HBM:2 kV，2級

CDM：1.25 kV

單正外接電源：5V

單(dan)向設定(ding)，兼容CMOS/TTL

16管腳，3mm×3mm LFCSP打包封裝類型

適用

蜂窩狀/4G基(ji)礎條件體(ti)系(xi)基(ji)礎建設(she)

無線數字(zi)網絡上(shang)條件設備基本建設

軍事戰爭和高正規性軟件應用

測式測量儀器

Pin電感編輯

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