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900 V分立氧化硅MOSFET CREE

發布消(xiao)息時候:2024-12-17 11:21:28     訪問(wen) :672

CREE擴(kuo)張了其在炭化硅(gui)(SiC)技術水(shui)平(ping)(ping)中的(de)為主整(zheng)體素質,低電(dian)(dian)感(gan)分立(li)封裝形式掌握寬沿面和漏極與源(yuan)極彼此的(de)接縫(feng)處(chu)離(li)(~8mm)。900 V分立(li)無定形碳硅(gui)MOSFET便捷通過最新(xin)的(de)的(de)MOSFET處(chu)理器(qi)(qi)中頻能,還有可以提供APP于高(gao)(gao)影響室內環(huan)境的(de)差額機械隔離(li)。獨力的(de)開(kai)爾文源(yuan)管腳極大減(jian)輕了電(dian)(dian)機功率電(dian)(dian)感(gan);故(gu)而(er)旋鈕(niu)自然損(sun)耗極大減(jian)輕了30%。的(de)設計(ji)團隊會(hui)利用自身從硅(gui)基轉(zhuan)向(xiang)器(qi)(qi)硅(gui)基來消減(jian)元器(qi)(qi)數量(liang)統(tong)計(ji);能夠(gou)提高(gao)(gao)按鈕(niu)開(kai)關耐腐蝕性,會(hui)能夠(gou)三電(dian)(dian)平(ping)(ping)拓補關系轉(zhuan)移(yi)成越來越高(gao)(gao)效的(de)兩(liang)電(dian)(dian)平(ping)(ping)拓補關系。

特點

在總布局運行溫暖范圍(wei)圖(tu)內,極低電壓(ya)值是900V Vbr

帶驅動下載源(yuan)的低抗阻封裝

高阻擋電(dian)流(liu)電(dian)壓(ya),低RDS(切換(huan))

低交叉恢復功能(Qrr)的(de)高質量(liang)本征電子(zi)元器件大家庭中(zhong)的(de)一員(yuan)-二(er)極管

有有助于于電容串聯(lian),在使用(yong)單純

MOSFET.png

的優勢

進行極(ji)大減少啟(qi)閉和傳(chuan)遞(di)數據耗用完善程序速度

體現(xian)高按鈕的頻率操(cao)縱

增強(qiang)程(cheng)序級(ji)工作效(xiao)率密(mi)度(du)計(ji)算公式

縮減模(mo)式總量;凈重量;和冷確實際需求

進行(xing)新(xin)的硬(ying)轉(zhuan)換(huan)開關拓(tuo)撲關系(Totem Pole PFC)

具代表性APP

減速機調整設備

新自然能源充(chong)電器樁控制(zhi)系統

應對供電(UPS)

鋰電測試英文機系統

新綠色能源電動車(che)極速充電器軟件系(xi)統

車載一體機電(dian)池(chi)電(dian)源適配器設備

傳動系統裝置設備

對焊生產技術

東莞 市立維創(chuang)展科(ke)技信息有限制(zhi)公司授權使用供(gong)應商CREE微波通(tong)信元器件,倘若需用購(gou)CREE成品,請點擊率右下(xia)人工服務找我們都!!!

 
Product SKUBlocking VoltageRDS(ON) at 25°CCurrent RatingTjmaxPackage
C3M0065090D900 V65 mΩ36 A150 °CTO-247-3
C3M0120090D900 V120 mΩ23 A150 °CTO-247-3
C3M0280090D900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-247-3
C3M0030090K900 V30 mΩ63 A150 °CTO-247-4
C3M0065090J900 V65 mΩ35 A150 °CTO-263-7
C3M0120090J900 V120 mΩ22 A150 °CTO-263-7
C3M0280090J900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-263-7


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