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GTRB246608FC-V1是(shi)CREE的(de)一(yi)臺500瓦（P4dB）的(de)SiC上GaN高電子器材移遷率晶狀(zhuang)體管（HEMT），得益(yi)于(yu)于(yu)多規范蜂(feng)窩狀(zhuang)輸出縮放器采用需求(qiu)分析(xi)設定。GTRB246608FC-V1必備高效性(xing)率和無軸環的(de)熱增強二極管封裝(zhuang)。

車輛尺寸

談談：高電機功(gong)率(lv)RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

非常高頻段（MHz）：2400

收(shou)獲（dB）：15.7

封口類屬：Earless

特征描述

舉例(li)脈寬CW耐(nai)腐蝕性，2400 MHz，48 V，10μs輸(shu)入脈沖概(gai)率，10%占空比，組裝輸(shu)出精度

P4dB=600 W時的(de)內容輸(shu)出(chu)公率(lv)

P4dB=60%時的速度

武漢市立維創展科學技術限(xian)制公司授權許可銷售(shou)CREE微(wei)波加熱功率器件，假如(ru)需要(yao)購CREE貨品，請彈框左邊(bian)qq客服聯(lian)系起來我們的(de)！！！