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GTRB226002FC-V1是(shi)CREE是(shi)款450瓦（P3dB）的(de)SiC上GaN高(gao)電(dian)子器(qi)材(cai)遷入率(lv)硫化鋅管(guan)(guan)（HEMT），app在多規(gui)則蜂窩(wo)狀耗油率(lv)放縮器(qi)能力app。GTRB226002FC-V1應具效率(lv)高(gao)化和無軸環的(de)熱增(zeng)進二極(ji)管(guan)(guan)封裝(zhuang)狀態。

軟件標準

陳述：SiC HEMT上的高電功率RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

平均率（MHz）：2110

高頻率（MHz）：2200

P3dB工(gong)作(zuo)輸出工(gong)作(zuo)功率（W）：450

增益(yi)控制值（dB）：15

生產率（%）：60

特征英文

典(dian)例的電(dian)脈(mo)沖(chong)(chong)CW效(xiao)能：10μs脈(mo)沖(chong)(chong)發生器參數，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty卡具成功率=65%

增(zeng)加收益值=14dB

P3dB=450W時的輸出的電機功率

平面模特類別1B級（通過ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低熱擴散系數

無鉛并需要滿足RoHS標

GaN基SiC HEMT技能

東莞市立(li)維創展新材料技(ji)術非常有限(xian)我司管理(li)權(quan)限(xian)生(sheng)產商CREE紅外(wai)光電(dian)子元(yuan)件，若(ruo)是所需(xu)購CREE的產品，請打開(kai)右(you)則客服中心(xin)關聯讓(rang)我們！！！