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?PXAE261908NF-V1 S波長高功效rf射頻LDMOS FET

發布信息時:2024-11-08 17:05:23     觀看:676

PXAE261908NF-V1是CREE的有款240瓦(P3dB)LDMOS FET,采采用2515至2675 MHz頻段的多細則蜂窩狀耗油率圖像放大器電路技術水平運用。PXAE261908NF-V1富含輸進的輸出適應、高收獲和帶無耳活套法蘭盤的熱增進芯片封裝。PXAE261908NF-V1用于最新消息的LDMOS工序技術水平,兼具領航的熱穩固性和領航的安全衛生能。

PXAE261908NF-V1.png

的產品的規格

舉例說明:高熱效率(lv)頻射LDMOS FET240W,28 V,2515-2675 MHz

較低(di)平率(lv)(MHz):2515

非常高的頻率(lv)(MHz):2675

P3dB所在馬力(W):240

增益控(kong)制值(dB):13.5

上班速(su)率(%):47

事(shi)業(ye)電壓(ya)電流(V):28

打包封裝型號:朔膠

芯(xin)片二(er)極管(guan)(guan)封裝:芯(xin)片二(er)極管(guan)(guan)封裝分立(li)多晶(jing)體管(guan)(guan)

高技術適用(yong):LDMOS

的特點

主要(yao)的(de)脈沖信號CW性,2675 MHz,28 V讀(du)取耗(hao)油率,P1dB=51 W導(dao)出(chu)額定功率,P3dB=240 W收獲值=11.8 dB運(yun)轉有(you)效率=60%

一體化化ESD維護

女模類別,2級(要根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)

低熱導率

無鉛并(bing)滿意RoHS原則(ze)

鄭州(zhou)市(shi)立維創展科技(ji)創新(xin)現有單位認證經售CREE微波(bo)射(she)頻功率器(qi)件,假如所需(xu)購CREE服(fu)務,請打開左(zuo)下(xia)客(ke)服(fu)熱線連(lian)系小編!!!

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